时间：2025/7/15 18:12:32
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CY14B104NA-ZS45XI 是赛普拉斯（Cypress）公司推出的一款4Mbit（512K x 8）的非易失性SRAM（NVRAM），采用先进的技术，将SRAM与非易失性存储技术结合，具备在断电时自动保存数据的功能。该芯片通过内置的锂电池供电保障数据在电源断开时的完整性，并且支持高速访问，适用于需要快速数据读写且数据存储可靠的应用场景。
容量：4Mbit (512K x 8)
电压范围：3.3V ± 0.3V
访问时间：45ns
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：TSOP
接口类型：并行异步接口
数据保持时间：10年（在+70°C下）
读写周期时间：100ns
输入/输出电压兼容性：TTL/CMOS
CY14B104NA-ZS45XI 具备多个关键特性，使其在工业和高端应用中表现出色。首先，其高速访问时间（45ns）确保了快速的数据读写能力，适用于对性能要求较高的系统。其次，该芯片内置自动存储切换电路，在主电源断开时能够迅速切换至内部锂电池供电，从而保障数据在断电期间不丢失。此外，芯片采用非易失性SRAM技术，消除了传统EEPROM或Flash的写入延迟问题，支持无限次读写操作，延长了使用寿命。
该芯片还具备低功耗模式，在系统待机状态下显著降低功耗，延长电池寿命。同时，其支持硬件写保护功能，可防止意外写入，提高数据安全性。CY14B104NA-ZS45XI 的封装为TSOP，适合在空间受限的电路板上使用，并具有良好的热稳定性和抗干扰能力。
CY14B104NA-ZS45XI 主要用于需要高速读写和数据持久性的场合。例如，在工业控制系统中，可用于保存关键的运行数据和配置参数；在医疗设备中，用于存储患者数据和设备校准信息；在通信设备中，作为高速缓存存储临时数据；在嵌入式系统中，作为非易失性缓存使用，确保断电时数据不丢失。此外，该芯片也适用于金融终端设备、测试测量仪器和高可靠性存储应用。
CY14B104N-ZS45XI, CY14B104NA-ZS45XIT, CY14B104NA-ZS45SXI
