时间：2025/11/3 18:54:44
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CY14B104L-ZS25XC是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的4 Mbit (512 K × 8) 串行外设接口（SPI） nvSRAM，即非易失性静态随机存取存储器。该器件结合了高速SRAM和非易失性存储技术，利用量子隧道氧化物（QTO）技术实现数据的无限次耐久性和长期的数据保持能力。nvSRAM允许在断电或系统故障时将SRAM中的关键数据自动或手动保存到非易失性存储单元中，并在上电时恢复这些数据，从而确保系统状态信息不会丢失。该芯片特别适用于需要频繁写入操作、高可靠性以及数据安全性的工业控制、通信设备、医疗仪器和自动化系统等应用场合。CY14B104L-ZS25XC采用小型化8引脚SOIC封装，工作电压为3.3 V，支持标准SPI通信协议，具备高性能与低功耗特性，能够在-40°C至+85°C的工业级温度范围内稳定运行。
容量：4 Mbit
组织结构：512 K × 8
接口类型：SPI
工作电压：3.3 V ± 0.3 V
工作电流（典型值）：15 mA（读取模式）
待机电流（典型值）：10 μA
访问时间（最大值）：25 ns
封装形式：8-SOIC
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
写保护功能：硬件WP引脚与软件写保护
存储耐久性：无限次写入周期
数据保持时间：超过20年（非易失性存储）
自定时存储操作：支持自动STORE和RECALL功能
CY14B104L-ZS25XC的最核心特性之一是其基于量子隧道氧化物（QTO）技术的非易失性存储机制，这种技术不同于传统的EEPROM或Flash，它通过在硅基底上形成极薄且稳定的氧化层来实现电子的量子隧穿效应，从而完成数据的写入与擦除。由于该过程不涉及高电压应力或浮栅结构的老化问题，因此具有近乎无限的写入耐久性，远超传统非易失性存储器通常限制在10万到100万次的写入寿命。这意味着用户可以在不担心器件磨损的情况下频繁地保存关键数据，例如实时日志、配置参数或运行状态。
此外，该器件支持两种数据存储方式：自动存储（AutoStore）和软件存储（Software Store）。AutoStore功能可在检测到系统电源下降时，利用片上电容提供的短暂能量自动将SRAM内容备份到非易失性存储区，无需主控制器干预；而Software Store则允许MCU通过发送特定指令主动触发存储操作，提供更高的灵活性。恢复数据时，可通过Power-Up RECALL功能在上电过程中自动将非易失性数据加载回SRAM，确保系统重启后能快速恢复至断电前的状态。
在性能方面，CY14B104L-ZS25XC具备高速SPI接口，最高支持25 MHz时钟频率，读写响应时间短，兼容标准SPI模式0和模式3，便于与各类微控制器集成。其内置的硬件写保护引脚（WP）可防止意外修改重要数据区域，同时支持软件级别的块写保护机制，进一步提升数据安全性。整个器件设计符合工业级环境要求，在宽温范围内保持稳定工作，并具备良好的抗干扰能力和EMI性能，适合部署于复杂电磁环境中。
CY14B104L-ZS25XC广泛应用于对数据完整性、写入速度和系统可靠性要求较高的嵌入式系统中。在工业自动化领域，常用于PLC控制器、传感器节点和远程IO模块中，用于记录设备运行参数、故障日志和校准数据，即使在突发断电情况下也能确保关键信息不丢失。在通信基础设施中，该芯片可用于基站控制单元、路由器和交换机的配置存储，支持频繁更新且需要持久保存的网络设置信息。医疗设备如监护仪、影像系统和便携式诊断装置也采用此类nvSRAM来保存患者数据、操作记录和设备校准值，满足医疗行业对数据安全性的严格要求。此外，在测试与测量仪器、POS终端、智能电表以及航空航天电子系统中，该器件同样发挥着重要作用，特别是在需要毫秒级数据保存响应和长期数据保留的应用场景下表现出色。其SPI接口简化了系统设计，降低了PCB布局复杂度，有助于缩短产品开发周期并提高整体系统稳定性。
FM25W04A
CY14XV04LA-ZS25XI
IS25LP040A
