产品型号：CY14B101NA-ZS45XI
　　制造商：Infineon Technologies
　　存储容量：1 Mbit (128K × 8)
　　接口类型：并行
　　电源电压：3.3V ± 0.3V
　　最大访问时间：45ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：44-pin SOJ
　　非易失性存储技术：Quantum Tunneling (Qcell)
　　数据保持时间：20年（典型值）
　　读写耐久性：> 10^15 次
　　自动存储时间（tSTORE）：≤ 20μs
　　存储触发方式：AutoStore, Hardware Store
　　JEDEC标准兼容性：符合JEDEC Standard 21-C, 规定45ns SRAM时序

CY14B101NA-ZS45XI的核心特性之一是其基于量子隧穿（Quantum Tunneling）技术的非易失性存储机制，这一技术被称为Qcell。与传统的基于浮栅晶体管的EEPROM或Flash不同，Qcell技术不依赖于电荷在浮栅中的长期驻留，而是利用极薄氧化层中的电子隧穿效应来实现状态的改变。这种机制避免了传统非易失性存储器常见的擦写寿命限制问题，从而实现了超过10^15次的写入耐久性，远高于普通EEPROM的10万次上限。这意味着CY14B101NA-ZS45XI可以在极端频繁的数据记录应用中持续运行多年而不会出现存储单元磨损失效的问题。
　　该器件支持两种非易失性存储模式：自动存储（AutoStore）和硬件存储（Hardware Store）。AutoStore功能通过内部电路监测VCC电压，当检测到电源即将掉电时（例如低于3.0V），会自动启动数据保存流程，将SRAM中的内容复制到非易失性存储阵列中，整个过程在20微秒内完成，确保即使在突发断电情况下也能可靠保存关键数据。Hardware Store则允许用户通过拉低HSB引脚来主动触发存储操作，适用于需要精确控制数据持久化时机的应用，例如在系统正常关机前手动保存配置信息。
　　CY14B101NA-ZS45XI具备45纳秒的快速访问时间，支持全速总线操作，与标准异步SRAM完全兼容，因此可以直接替代系统中原有的SRAM芯片，无需更改PCB布局或时序设计。其3.3V供电电压符合现代低功耗系统的要求，并具有较低的待机电流（典型值为100μA），有助于延长便携式或电池供电设备的工作时间。此外，器件采用44引脚SOJ封装，符合工业级温度范围（-40°C至+85°C），能够在恶劣环境条件下稳定运行，广泛应用于通信基础设施、工业自动化、测试测量设备等领域。
　　另一个重要特性是其数据恢复机制。在上电过程中，CY14B101NA-ZS45XI会自动执行“Recall”操作，将之前保存在非易失性存储区的数据恢复到SRAM中，使系统能够快速恢复到断电前的状态。此过程对用户透明，无需额外软件干预。同时，器件内置VCC监控电路和写保护逻辑，防止在电源不稳定期间发生误写操作，进一步提升系统可靠性。

CY14B101NA-ZS45XI广泛应用于需要高速、高可靠性非易失性存储的工业和通信领域。典型应用场景包括工业PLC控制器中的实时数据日志记录，在机器运行过程中频繁采集传感器数据并即时保存，即使遭遇意外断电也能完整保留最新状态信息，便于故障诊断与恢复。在网络通信设备如路由器、交换机中，该芯片可用于存储运行配置、路由表快照或会话状态信息，确保设备重启后能迅速恢复正常服务。在医疗设备中，例如病人监护仪或成像系统，它可用于保存患者设置、校准参数或临时采集的生理数据，保障治疗连续性和数据完整性。
　　在测试与测量仪器中，CY14B101NA-ZS45XI常被用于缓存大量高速采集的数据，并在断电时自动保存结果，避免因电源中断导致实验数据丢失。金融终端设备如POS机、ATM也利用其高耐久性特点进行交易日志的频繁写入，确保每一笔交易都能被可靠记录。此外，航空航天与国防系统中对数据可靠性和环境适应性要求极高，该器件因其宽温工作能力和抗辐射设计（部分版本）成为理想选择。嵌入式系统开发者还可将其用于固件更新缓冲区或安全密钥存储，配合加密模块实现安全启动与防篡改功能。由于其无需电池的设计，也符合绿色环保和免维护设备的发展趋势，适用于远程监控站点、智能电表、轨道交通控制系统等长周期无人值守场合。

CY14B101QA-ZS45XI
　　CY14B101NA-ZS45XIT
　　CY14B104NA-ZS45XI
　　FM16W08