CXQ70116P5 时间：2025/8/18 5:16:57 阅读：2

CXQ70116P5 是一款由国产厂商设计制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源管理及功率开关应用。该器件采用P沟道结构，适合用于负载开关、电源管理单元（PMU）以及DC-DC转换器等场合。该MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和大电流承载能力，能够在高温环境下稳定工作。

参数

类型：P沟道 MOSFET
　　漏源电压(Vds)：100V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　漏极电流(Id)：16A（连续）
　　导通电阻(Rds(on))：60mΩ @ Vgs = 10V
　　功率耗散(Pd)：150W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-220
　　极性：P沟道

特性

CXQ70116P5 具有出色的导通性能和热稳定性，其低导通电阻（Rds(on)）使其在高电流应用中能够减少功率损耗，提高系统效率。该器件采用了先进的沟槽技术，提升了电流密度和耐压能力。此外，其高达100V的漏源耐压能力，使其适用于多种中高压电源系统。
　　在热管理方面，该MOSFET具有良好的热阻特性，能够在高功率密度环境下保持稳定运行，适用于紧凑型电源设计。其TO-220封装形式也便于散热器安装，提高散热效率。
　　另外，CXQ70116P5 的栅极驱动电压范围宽泛，支持常见的10V驱动电压，兼容大多数MOSFET驱动IC，简化了驱动电路的设计。其高抗干扰能力和低开关损耗也使其在高频开关应用中表现优异。