容量：8K x 16 位
　　组织方式：16 位数据宽度
　　访问时间：114 ns
　　电源电压：3.3V
　　封装类型：QFP
　　引脚数：114
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　数据保持电压：2.0V 至 3.6V
　　待机电流：最大 10 mA
　　工作电流：最大 150 mA

CXP80316-114Q 是一款专为高性能和低功耗设计的SRAM芯片，具有出色的稳定性和可靠性。
　　其高速访问时间为114ns，使得该芯片能够在高频操作环境下保持高效的数据读写能力。这对于需要快速响应的应用（如高速缓存和实时数据处理）尤为重要。
　　该器件采用3.3V电源供电，支持2.0V至3.6V的数据保持电压，确保在电源波动时仍能保持数据的完整性。这种特性使得CXP80316-114Q在电源不稳定或需要断电保护的应用中表现出色。
　　此外，CXP80316-114Q的封装形式为114引脚QFP（四方扁平封装），适合在高密度PCB设计中使用，同时其工业级的工作温度范围（-40°C至+85°C）确保其在极端环境下的稳定运行。
　　该SRAM芯片的待机电流不超过10mA，工作电流最大为150mA，这表明其在功耗控制方面表现出色，适用于需要节能设计的嵌入式系统和便携式设备。
　　综上所述，CXP80316-114Q是一款综合性能优异的SRAM芯片，适合多种高性能、低功耗应用需求。

CXP80316-114Q 主要应用于需要高速数据存储和处理的系统中，如通信设备中的缓存存储、嵌入式系统的临时数据存储、工业控制设备的运行内存、网络设备的缓冲存储器，以及需要低功耗和高可靠性的便携式电子设备中。

CY62148EVLL-48ZSXC, IS61LV25616-10T, IDT71V416SA10Y