时间：2025/8/18 1:27:32
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CXP102064-101R-T6 是一款由Cypress Semiconductor（赛普拉斯半导体）生产的异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件采用高速CMOS工艺制造，专为需要快速读写操作和低功耗设计的应用而优化。该型号的容量为1 Mbit（128K x 8），采用55引脚TSOP封装，适用于工业级工作温度范围（-40°C至+85°C），适合在各种嵌入式系统、网络设备、通信设备和消费类电子产品中使用。
容量：1 Mbit（128K x 8）
电压范围：2.3V 至 3.6V
访问时间：10 ns
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：55-TSOP
接口类型：并行异步
读取电流（典型值）：120 mA
待机电流（典型值）：10 mA
CXP102064-101R-T6 具备高速访问能力，其访问时间仅为10纳秒，能够满足高速数据存取需求的应用场景。该芯片支持异步操作，使得其在与各种微处理器和控制器连接时具备良好的兼容性。
这款SRAM芯片采用了低功耗CMOS技术，在待机模式下的电流消耗极低，典型值仅为10 mA，有助于延长便携设备的电池寿命。同时，其正常工作电流也保持在合理范围内，典型为120 mA。
该器件的工作电压范围较宽，支持2.3V至3.6V供电，提供了更高的设计灵活性，并能适应不同电源管理系统的需求。此外，其TSOP封装形式有助于减少PCB空间占用并提升焊接可靠性。
CXP102064-101R-T6 符合工业级温度标准（-40°C至+85°C），确保在严苛环境条件下仍能稳定运行，适用于工业控制、汽车电子等对可靠性要求较高的应用场景。
CXP102064-101R-T6 主要应用于需要高速缓存和临时数据存储的场合，如嵌入式控制系统、通信模块、网络路由器和交换机、工业自动化设备、测试与测量仪器以及消费类电子产品。其高速和低功耗特性也使其成为图像处理、音频缓冲和实时数据采集等应用的理想选择。
CY62148EVLL-10ZSXC, IS61LV10248ALLB4-10B, IDT71V128SA10PFG
