CXN1600-2CDL 时间：2025/8/18 14:28:52 阅读：19

CXN1600-2CDL是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的功率MOSFET晶体管，广泛应用于高功率电子设备中，例如电源转换器、电机控制和功率放大器。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压和快速开关特性，适用于需要高效能和高可靠性的应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：600V
　　最大漏极电流（ID）：11A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.32Ω
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2V至4V
　　最大功耗（PD）：83W
　　封装类型：TO-220
　　工作温度范围：-55°C至150°C

特性

CXN1600-2CDL具有多项卓越特性，使其在功率电子领域中表现优异。首先，其低导通电阻（RDS(on)）降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体效率。其次，该器件的最大漏源电压达到600V，能够承受高电压应力，适合高压应用场景。此外，快速开关特性减少了开关损耗，从而提升了动态性能。
　　其TO-220封装设计提供了良好的散热性能，有助于在高功率操作下维持稳定的工作温度。同时，该器件的栅极阈值电压范围为2V至4V，与多种控制电路兼容，易于集成到各种系统中。最后，其高可靠性和耐用性使其在恶劣环境中依然能够稳定运行。

应用

CXN1600-2CDL广泛应用于多个领域，包括开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、逆变器、电机驱动器和功率放大器。在电源管理应用中，该器件能够有效提高能源利用率并减少热量产生。此外，其高耐压能力使其适用于工业自动化控制系统和电动车充电设备中的功率开关电路。由于其快速开关特性，也常用于高频电源和照明系统中。