类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流：400A
　　最大漏源电压：400V
　　最大栅源电压：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：2.2mΩ（最大）
　　功率耗散：800W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

CXM4004R 的主要特性之一是其非常低的导通电阻（Rds(on)），这使得在高电流应用中能够最大限度地减少功率损耗和热量产生。此外，该器件能够承受高达 400A 的连续漏极电流，同时具备高达 400V 的漏源击穿电压，使其适用于高功率密度设计。
　　这款 MOSFET 采用了先进的封装技术，确保了良好的热管理和可靠性。其最大功率耗散为 800W，并且能够在高达 +175°C 的结温下稳定工作，这使得它在恶劣的工作环境中依然能够保持高性能。
　　另外，CXM4004R 的栅极驱动设计允许使用标准的 10V 至 15V 驱动电压，兼容大多数常见的 MOSFET 驱动器 IC，简化了设计过程。该器件还具备快速开关能力，减少了开关损耗，提高了整体系统的效率。
　　由于其高耐压、低导通电阻和优异的热性能，CXM4004R 被广泛应用于工业电源、电机驱动、电动汽车充电器、太阳能逆变器以及不间断电源（UPS）等高功率系统中。

CXM4004R 主要用于需要高功率密度和高效率的电力电子系统。例如，在 DC-DC 转换器、AC-DC 整流器和功率因数校正（PFC）电路中，该器件可以提供出色的性能。此外，它在电机控制和变频器中也得到了广泛应用，特别是在电动汽车和工业自动化设备中。
　　在太阳能逆变器系统中，CXM4004R 的高耐压和低导通电阻特性使其能够高效地将直流电转换为交流电，供给家庭或电网使用。同时，在不间断电源（UPS）系统中，该器件可用于实现快速切换和高效的电能转换，确保在主电源故障时仍能提供稳定的电力输出。
　　由于其优异的热管理和高可靠性，CXM4004R 也常用于高功率 LED 驱动器、电池充电器和储能系统。这些应用要求器件能够在高电流和高温环境下长时间稳定运行，而 CXM4004R 正好满足了这些需求。

CXM4004R 的替代型号包括 IXYS 的 CXM40045R、CXM4006R，以及 Infineon 的 IPOS40N40C6AG 和 STMicroelectronics 的 STW40NM60ND。这些器件在导通电阻、最大电流和电压能力方面与 CXM4004R 相似，适用于类似的高功率应用场景。