类型：双极型晶体管（BJT）
　　晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流（IC）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（VCE）：30 V
　　最大基极-发射极电压（VBE）：5 V
　　最大功耗（PD）：300 mW
　　最大工作频率（fT）：250 MHz
　　电流增益（hFE）：110 - 800（根据等级不同）
　　封装类型：SOT-23
　　工作温度范围：-55°C至150°C

CXM3645ER-T9晶体管具有多项优异特性，适用于多种高频应用环境。其高频特性使得该器件能够在250 MHz的频率下保持良好的性能，适合用于射频放大器和高频振荡器电路。此外，该晶体管的电流增益（hFE）范围广泛，从110到800不等，能够满足不同电路设计的需求。该晶体管还具备良好的热稳定性和可靠性，在高温环境下仍能保持稳定工作。
　　在封装方面，CXM3645ER-T9采用SOT-23封装，具有体积小、重量轻、便于表面贴装等优点，适用于高密度电路板设计。其低功耗特性也使得该晶体管适用于电池供电设备和便携式电子产品。
　　此外，CXM3645ER-T9具备良好的线性性能，使其在模拟放大电路中表现出色，同时在数字电路中也能作为高速开关使用。该器件的制造工艺符合RoHS环保标准，适用于现代电子制造中对环保要求较高的应用场合。

CXM3645ER-T9晶体管广泛应用于高频电子电路中，包括射频（RF）放大器、无线通信模块、天线前置放大器、振荡器以及混频器等。其高频性能和稳定的电气特性也使其成为消费类电子产品中的理想选择，如无线耳机、蓝牙模块、Wi-Fi路由器和智能穿戴设备等。
　　在工业控制领域，CXM3645ER-T9可用于传感器信号放大、数据采集系统的前端放大器以及高速开关控制电路。在音频设备中，该晶体管也可用于前置放大器或音频信号处理电路中，提供良好的线性放大性能。
　　由于其SOT-23封装的小型化特点，该晶体管也适用于高密度PCB布局和便携式电子设备的设计。此外，它还可用于LED驱动电路、马达控制电路以及逻辑电平转换电路等应用场景。

BC847 NPN晶体管、MMBT3904 NPN晶体管、2N3904 NPN晶体管