类型：LDMOS RF功率晶体管
　　工作频率范围：1.8 MHz至60 MHz
　　最大输出功率：1700 W（在1.8 MHz至60 MHz范围内）
　　漏极电压（VDSS）：65 V
　　栅极电压范围（VGS）：-10 V至+30 V
　　工作温度范围：-65°C至+150°C
　　封装类型：气密封陶瓷封装
　　增益：约24 dB（典型值）
　　效率：约70%以上（典型值）

CXM3617AER-T2射频功率晶体管具备多项显著特性。首先，其采用LDMOS技术，具有优异的线性度和高效率，能够在较宽的频率范围内（1.8 MHz至60 MHz）提供高达1700 W的输出功率，适用于高功率广播和通信应用。其次，该晶体管具有较高的热稳定性和耐久性，能够在恶劣的工作环境下保持稳定的性能，工作温度范围达到-65°C至+150°C。此外，CXM3617AER-T2的封装设计采用气密封陶瓷结构，提供了良好的散热性能和机械强度，确保了长期使用的可靠性。最后，该器件的栅极电压范围较宽（-10 V至+30 V），便于驱动电路设计，并具有较强的抗过载能力，能够承受一定的失配负载而不损坏。
　　CXM3617AER-T2的高效率特性使其在射频功率放大器中能够显著降低功耗和散热需求，从而提升整体系统的能效。同时，其良好的线性度有助于减少信号失真，提高通信质量。该晶体管的高耐压特性（VDSS为65 V）也使其适用于多种高功率应用场景。

CXM3617AER-T2射频功率晶体管主要应用于广播发射机（如AM/FM广播、电视广播）、工业射频加热设备、医疗射频治疗设备、测试测量仪器、通信基站和高功率放大器系统等。该器件的高输出功率和宽频带特性使其成为专业射频功率放大器设计中的理想选择。此外，由于其优异的线性度和稳定性，CXM3617AER-T2也可用于需要高质量信号放大的数字广播和通信系统。

CXM3617A, CXM3617A-ER-T2