时间：2025/9/26 11:33:53
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R1121N481B-TR-FE是一款由理光（Ricoh）公司生产的高精度、低功耗的电压稳压器（LDO，Low Dropout Regulator），广泛应用于需要稳定电源供应的便携式电子设备中。该器件属于R1121N系列，该系列以其出色的稳定性、低静态电流和高纹波抑制能力而著称。R1121N481B-TR-FE采用小型化封装形式，适合对空间要求严格的高密度电路板设计。该LDO的标称输出电压为4.8V，具有±1%的高输出电压精度，确保在各种负载和输入条件下都能提供稳定的电压输出。其内部集成了过流保护和热关断功能，提升了系统的安全性和可靠性。此外，该芯片采用CMOS工艺制造，具有极低的静态电流（典型值约为2.0μA），非常适合电池供电的应用场景，有助于延长电池使用寿命。R1121N481B-TR-FE支持宽输入电压范围，能够在输入电压接近输出电压时仍保持正常工作，体现了良好的低压差特性，从而提高了能量转换效率。
型号：R1121N481B-TR-FE
制造商：Ricoh（理光）
产品系列：R1121N
器件类型：低 dropout 稳压器（LDO）
输出电压：4.8V（固定）
输出电压精度：±1%（Ta=25°C）
最大输出电流：300mA
压差电压：Typ. 300mV（Iout = 150mA, Vout = 3.0V）
静态电流：Typ. 2.0μA（无负载）
输入电压范围：2.0V ~ 5.5V
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
封装形式：DFN(PLP)1212-6
引脚数：6
保护功能：过流保护、热关断
调节类型：固定式
输出电容要求：陶瓷电容（推荐0.47μF或以上）
R1121N481B-TR-FE具备多项优异的电气与物理特性，使其成为高性能电源管理方案中的理想选择。首先，该LDO具有极低的静态电流，典型值仅为2.0μA，在待机或轻载状态下显著降低功耗，特别适用于智能手机、可穿戴设备、物联网终端等依赖电池供电且对能效要求较高的应用场景。其次，其输出电压精度高达±1%，确保系统在各种环境温度和负载条件下均能获得稳定的电压供应，有利于提升整个电子系统的运行稳定性与可靠性。此外，该器件具备出色的瞬态响应性能，能够在负载电流快速变化时迅速调整输出电压，避免电压波动对敏感电路造成影响。
R1121N481B-TR-FE采用先进的CMOS工艺制造，不仅实现了低功耗，还具备良好的抗噪声能力和高纹波抑制比（PSRR），在高频段仍能有效抑制输入端的纹波干扰，输出干净的直流电压。其压差电压较低，在150mA负载下典型值为300mV，意味着即使输入电压仅略高于输出电压，也能维持稳定输出，从而提高能源利用效率，减少发热。该器件支持使用小型陶瓷电容器作为输出电容（推荐0.47μF以上），有助于减小整体电路尺寸，适应紧凑型电子产品设计需求。
在安全保护方面，R1121N481B-TR-FE内置了过电流保护和热关断功能。当输出电流超过安全阈值或芯片温度过高时，保护电路会自动启动，切断输出以防止器件损坏，保障系统安全。其采用的DFN(PLP)1212-6小型封装不仅节省PCB空间，还具备良好的散热性能，适合高密度贴装。此外，该器件符合RoHS环保标准，无铅且绿色环保，适用于各类工业、消费类及通信设备。
R1121N481B-TR-FE因其高精度、低功耗和小型化特点，广泛应用于多种对电源稳定性要求较高的电子设备中。在便携式消费类电子产品领域，如智能手机、平板电脑、智能手表和无线耳机中，该LDO用于为MCU、传感器、RF模块等提供稳定的工作电压，同时最大限度地延长电池续航时间。在物联网（IoT）设备中，例如无线传感器节点、智能家居控制器和远程监控终端，其低静态电流特性对于实现长时间待机至关重要。此外，该器件也适用于各类电池供电的医疗设备，如血糖仪、体温计和便携式心电监测仪，确保测量精度不受电源波动影响。
在通信模块中，R1121N481B-TR-FE可用于为蓝牙、Wi-Fi、ZigBee等无线收发芯片提供干净的电源，抑制电源噪声对信号完整性的干扰。在工业控制领域，该LDO可用于为微处理器、ADC/DAC转换器、实时时钟（RTC）等精密元件供电，提升系统抗干扰能力和运行稳定性。由于其支持陶瓷输出电容并具备良好的瞬态响应能力，特别适合用于高速数字电路的局部电源调节。此外，在汽车电子中的非动力系统，如车载信息娱乐系统、传感器模块和遥控钥匙中，该器件也能发挥其高可靠性和宽温工作的优势。总之，凡是需要高效、稳定、小型化电源解决方案的场合，R1121N481B-TR-FE都是一个非常合适的选择。
R1121N481B-TR
R1121N481B
XC6206P481MR-G
ME6211C48M5G-N
RT9193-33GB
