时间：2025/8/18 17:40:19
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CXM3529XR-T2 是一款由 IXYS 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制以及其他需要高效率功率开关的场合。该器件采用先进的平面沟槽栅技术，具有较低的导通电阻和优良的热性能，适合在高频率和高电流条件下工作。
类型：N 沟道
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：180A
导通电阻（Rds(on)）：3.2mΩ @ Vgs=10V
功率耗散（Pd）：250W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
CXM3529XR-T2 功率 MOSFET 的核心优势在于其出色的导通性能和热稳定性。其低导通电阻（Rds(on)）确保在高电流条件下仍能保持较小的功率损耗，从而提高系统效率并减少散热需求。此外，该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于在高频开关应用中减少驱动损耗。
该 MOSFET 采用 TO-263 表面贴装封装，具有良好的热传导性能，适用于自动贴片和回流焊工艺，提高了生产效率和可靠性。其封装设计也有助于降低寄生电感，从而减少开关过程中的振铃和电磁干扰（EMI）。
该器件的雪崩能量能力较强，能够在负载突变或短路等异常条件下提供更高的耐受能力，从而增强系统的稳定性与安全性。同时，其高栅极电压容限（±20V）允许在较宽的驱动电压范围内安全工作，提高了设计灵活性。
此外，CXM3529XR-T2 具备良好的长期稳定性，适用于要求严苛的工业和汽车应用环境。
CXM3529XR-T2 广泛应用于多种高功率电子系统中，包括同步整流 DC-DC 转换器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、电源分配系统、负载开关、太阳能逆变器以及汽车电子系统中的功率控制模块。其高电流能力和低导通损耗使其成为高效电源设计的理想选择，尤其适用于需要紧凑封装和高性能的现代电子设备。
SiS434DN-T1-GE3, IRF1324S-7PPBF, NexFET CSD17576Q5B
