CXM3007R-T4 时间：2025/8/18 17:30:38 阅读：4

CXM3007R-T4是一款由COSMO Electronics Corporation制造的高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具备低导通电阻、高效率和优异的热稳定性。其设计适用于高频率开关应用，能够有效降低导通损耗和开关损耗，提高系统整体效率。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：120A
　　功耗（Pd）：170W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-263（D2PAK）
　　导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻温度系数：正温度系数
　　输入电容（Ciss）：约2500pF @ Vds=15V
　　反向恢复时间（trr）：快速恢复
　　晶体管配置：单N沟道

特性

CXM3007R-T4 MOSFET具有多项先进特性，使其适用于高性能功率转换系统。首先，其低导通电阻（Rds(on)）仅为4.5mΩ，在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高能效。该器件的高栅极耐压能力（±20V）使其在高噪声环境中仍能保持稳定运行，减少误触发的风险。
　　其次，该MOSFET采用了先进的沟槽式结构设计，优化了电流分布，增强了器件的热稳定性和可靠性。在高频率开关应用中，如DC-DC转换器、同步整流器、电机控制和电源管理系统中，CXM3007R-T4表现出优异的开关性能，减少了开关损耗并提高了系统效率。
　　此外，该器件的TO-263（D2PAK）封装形式具备良好的散热性能，有助于提高器件在高功率应用中的可靠性。该封装支持表面贴装（SMT），适用于自动化生产流程，提高了生产效率和焊接可靠性。
　　在热性能方面，CXM3007R-T4能够在宽温度范围内稳定运行，工作温度范围为-55°C至150°C，适用于严苛的工业环境。其正温度系数的导通电阻特性也有助于实现更稳定的电流分配，在并联使用时表现出良好的均流能力。

应用

CXM3007R-T4广泛应用于各种高功率密度和高频开关系统中。典型应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、服务器电源、工业电源以及高功率LED照明系统。在服务器电源和通信电源中，该器件能够有效提高转换效率并降低系统温升，满足高可靠性需求。此外，在电动车充电器、储能系统和太阳能逆变器等新能源领域中，CXM3007R-T4也被广泛采用，以实现高效、紧凑的功率设计。