CXL5505M 时间：2025/8/18 4:31:15 阅读：22

CXL5505M 是一款由 Cissoid 公司设计和生产的高温低损耗 SiC（碳化硅）功率 MOSFET 模块，专为高效率、高工作温度和高可靠性要求的应用而设计。该模块采用了先进的 SiC 半导体技术，能够在高温、高压和高频条件下稳定运行，适用于电动汽车、工业电源、可再生能源系统等高要求场景。

参数

类型：SiC MOSFET 模块
　　最大漏极电流（ID）：500A
　　最大漏源电压（VDS）：1200V
　　导通电阻（RDS(on)）：5.5mΩ
　　封装形式：双面散热功率模块（如：HPD）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　栅极电压范围：-10V 至 +20V
　　短路耐受能力：600μs @ 800V
　　热阻（Rth）：0.18K/W
　　绝缘等级：符合 IEC 60664-1 标准

特性

CXL5505M 具备出色的热性能和电气性能，其核心采用了 Cissoid 的高温封装技术，使其能够在极端环境下可靠运行。该模块的低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体效率。此外，其具备高短路耐受能力，可在高电压条件下承受短暂的短路故障，从而提高系统的稳定性。
　　该模块支持双面散热设计，有效降低热阻，提升散热效率，特别适合高功率密度应用。CXL5505M 还具备出色的抗电磁干扰（EMI）能力，有助于减少外围滤波电路的设计复杂度。
　　在封装方面，CXL5505M 采用模块化设计，便于安装和维护，同时具备优异的绝缘性能，能够满足工业级和汽车级应用的安全标准。其宽泛的栅极电压范围允许灵活的驱动控制策略，适应不同的应用场景需求。

应用

CXL5505M 主要应用于高功率、高效率和高温工作环境下的电力电子系统，包括电动汽车（EV）主驱逆变器、车载充电器（OBC）、工业电机驱动、可再生能源逆变器（如太阳能逆变器）、储能系统（ESS）以及智能电网设备等。
　　由于其具备高温耐受能力和低导通损耗，CXL5505M 特别适合用于需要高可靠性和紧凑型散热设计的系统。在电动汽车领域，该模块可显著提高主驱逆变器的效率并降低系统复杂度；在工业和能源应用中，其高效率和高可靠性可帮助降低运营成本并延长设备寿命。