时间：2025/7/31 18:12:59
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PHPT610030NPK是一款由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的功率MOSFET晶体管，主要用于高功率应用中的开关控制。这款晶体管采用先进的功率技术，具有低导通电阻（RDS(on)）、高耐压和高电流能力，适用于各种工业和汽车电子系统。该器件采用高性能封装技术，确保在高温和高负载条件下依然能够稳定工作。PHPT610030NPK通常用于DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统以及电源管理模块等应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：100V
连续漏极电流（ID）：60A（典型值）
导通电阻（RDS(on)）：最大10mΩ（在VGS=10V）
栅极电荷（Qg）：典型值约100nC
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装类型：PowerPAK或类似高性能封装
最大功率耗散：约170W
技术：MOSFET增强型
PHPT610030NPK是一款高性能N沟道MOSFET，具有低导通电阻和高电流处理能力，使其在高功率应用中表现出色。该器件的RDS(on)最大为10mΩ，在10V的栅极驱动电压下，能够显著降低导通损耗，提高系统效率。其高耐压能力（100V）使其适用于各种中高功率转换系统，例如DC-DC变换器、电源供应器以及电动工具和汽车电子系统中的功率控制模块。
此外，该MOSFET采用了先进的封装技术，具有良好的热管理性能，能够在高温环境下稳定工作，提升了器件的可靠性和使用寿命。其高电流承载能力和低栅极电荷（Qg）特性，使其在高频开关应用中表现优异，有助于提高系统响应速度并减少开关损耗。
PHPT610030NPK的工作温度范围广泛，从-55°C到+175°C，适应各种严苛的工作环境。这使得它在工业自动化设备、电动汽车（EV）充电系统、不间断电源（UPS）以及太阳能逆变器等高要求应用中都能发挥出色的性能。
PHPT610030NPK广泛应用于需要高功率密度和高效率的电力电子系统中。例如，该器件可用于设计高效的DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及各种电源管理模块。在汽车电子领域，该MOSFET可用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）和电动车电池组管理中。此外，该器件也适用于工业控制设备、不间断电源（UPS）、服务器电源和工业自动化系统中的功率开关控制。由于其优异的热性能和高可靠性，PHPT610030NPK也非常适合用于高温环境下工作的设备。
IRF1404、SiHF60N100E、FDP6100AS、IPB60R100CFD、FDMS7610
