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CXK77W3211Q-12C 发布时间 时间:2025/8/18 4:46:53 查看 阅读:11

CXK77W3211Q-12C是一款高速、低功耗的静态随机存取存储器(SRAM),适用于需要高性能和可靠性的应用。该器件具有高速访问时间,同时在功耗和稳定性方面表现出色,适合用于缓存、数据缓冲和高速计算系统。

参数

容量:32K x 8位
  电源电压:3.3V或5V(视具体版本而定)
  访问时间:12ns
  封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  封装引脚数:52引脚
  数据输入/输出:8位并行
  工作模式:异步SRAM
  最大时钟频率:无(异步操作)
  功耗:典型值约150mA(待机模式下更低)

特性

CXK77W3211Q-12C是一款高性能的异步SRAM,具有12ns的访问时间,适用于对速度要求较高的应用。其低功耗设计使其在待机模式下仍能保持较低的能耗,适用于便携式设备和需要节能的系统。该器件采用TSOP封装,体积小且易于集成,适合高密度PCB设计。此外,它支持宽温度范围操作,能够在工业环境下稳定运行。
  该SRAM提供8位并行数据输入/输出接口,便于与各种微处理器和控制器连接。其高可靠性和稳定性使其在通信设备、工业控制、嵌入式系统和网络设备中广泛应用。CXK77W3211Q-12C的异步设计使得它在不需要时钟信号的情况下即可进行读写操作,提高了系统的灵活性和响应速度。
  该器件还具备较强的抗干扰能力,能够在电磁环境较为复杂的场合下保持稳定工作。其存储单元采用双稳态电路设计,无需刷新操作,数据可长时间保持。CXK77W3211Q-12C的优异性能使其成为高速缓存、数据缓冲和临时存储应用的理想选择。

应用

CXK77W3211Q-12C广泛应用于需要高速数据访问和低功耗的场景,如通信设备中的缓存存储器、工业控制系统的数据缓冲、嵌入式系统的临时存储器、网络设备中的高速数据交换、医疗设备中的实时数据处理、测试仪器中的数据采集与存储等。

替代型号

CY7C199-15VC
  IS61LV25616A-10BLLI
  IDT71V416S12PFGI

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