时间：2025/8/18 9:16:51
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CXK5864M是一种高速静态随机存取存储器（SRAM），通常用于需要快速数据访问的电子设备中。该芯片具备低功耗特性，适合在嵌入式系统、工业控制、通信设备等领域应用。CXK5864M的存储容量为8K x 8位，采用CMOS技术制造，具有较高的稳定性和可靠性。
容量：8K x 8位
电源电压：5V
访问时间：10ns（典型值）
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
封装形式：28引脚SSOP
最大工作频率：100MHz
输入/输出电平：TTL兼容
待机电流：最大10mA
工作电流：最大150mA
CXK5864M是一款高性能SRAM芯片，其核心特性之一是高速访问能力，访问时间低至10ns，使其适用于对响应时间要求严格的应用场景。该芯片采用低功耗设计，在待机模式下功耗极低，非常适合需要节能的系统。CXK5864M具备宽温度范围的工作能力，能够在工业级温度范围内稳定运行，适用于各种恶劣环境。
CXK5864M的输入/输出接口兼容TTL电平，便于与多种主控芯片连接。其CMOS制造工艺不仅提高了芯片的稳定性，还增强了抗干扰能力，确保数据的准确性和完整性。此外，该芯片具有良好的可扩展性，可以与其他存储器芯片组合使用，以满足更大存储容量的需求。
该芯片还具备自动刷新功能，在不需要外部控制器干预的情况下保持数据的稳定性。CXK5864M的高可靠性和长寿命使其成为工业控制、自动化设备、网络通信设备等领域的理想选择。
CXK5864M广泛应用于工业控制系统、通信设备、嵌入式系统、自动化设备以及测试测量仪器等场景。由于其高速和低功耗特性，也适用于便携式设备和需要快速数据存取的电子系统。
CY62148VLL-55ZSXC, IDT71V416SA85B, ISSI IS61LV256ALB45B
