时间：2025/4/30 12:08:13
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DMN26D0UT-7是一款由Diodes Incorporated生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用DFN2020-6封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于各种高效能电源管理应用。其工作电压范围为-0.3V至20V，并能在较宽的温度范围内保持稳定的性能。
最大漏源电压：20V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：1.9A
导通电阻（典型值）：55mΩ
总功耗：410mW
工作温度范围：-55℃至150℃
DMN26D0UT-7采用了先进的制造工艺，具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 小巧的DFN2020-6封装设计，节省PCB空间，非常适合便携式设备。
3. 快速开关能力，能够有效减少开关损耗。
4. 高度可靠的抗静电能力（HBM ≥ 2kV）。
5. 符合RoHS标准，绿色环保。
6. 支持高频开关操作，适用于DC-DC转换器、负载开关以及电池供电产品中的电源管理电路。
这款MOSFET广泛应用于需要高性能和小尺寸解决方案的领域，具体包括：
1. 消费类电子产品中的负载开关。
2. 移动设备和可穿戴设备的电源管理模块。
3. 各种便携式电子产品的电池保护电路。
4. 高效DC-DC转换器的设计。
5. 数据通信设备中的信号切换功能。
6. 其他对小型化和低功耗有严格要求的应用场景。
DMN26D0UFG-7
