CXK58258P-35 时间：2025/8/18 7:49:14 阅读：10

CXK58258P-35 是一种高速静态随机存取存储器（SRAM），由Cypress Semiconductor公司制造。该器件是一种高性能的异步SRAM，广泛用于需要高速数据访问和可靠性的应用场合。该SRAM采用32K x 8位的组织结构，具有高速访问时间（最大为35ns），适用于需要快速数据处理的嵌入式系统、工业控制设备和通信设备等。

参数

存储容量：32K x 8位
　　访问时间：35ns（最大）
　　电源电压：5V
　　封装类型：28引脚DIP
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　输入/输出电平：TTL兼容
　　封装尺寸：300 mil
　　最大工作频率：约25MHz
　　待机电流：10mA（典型值）

特性

CXK58258P-35 SRAM芯片具有多项显著特性。首先，其高速访问时间为35ns，使其能够在高频环境下稳定运行，适用于对数据存取速度有较高要求的系统。其次，该器件采用异步设计，无需时钟同步信号，简化了系统设计并降低了功耗。此外，CXK58258P-35具有低功耗特性，在待机模式下电流消耗仅为10mA左右，适合用于对功耗有一定限制的应用场合。
　　CXK58258P-35采用标准的TTL电平接口，与多种微控制器和处理器兼容，便于集成到现有系统中。其28引脚DIP封装形式便于插拔和安装，适用于原型开发和中小规模生产。该器件支持标准的SRAM读写操作，具备数据保持功能，在断电后数据丢失，但因其无需刷新机制，响应速度优于DRAM。
　　该SRAM芯片的工作温度范围覆盖工业级要求（-40°C至+85°C），可在各种恶劣环境下稳定运行。其封装尺寸为300 mil，符合行业标准，易于PCB布局和安装。