类型：SRAM
　　容量：32K x 8位（256Kbit）
　　电源电压：3.3V或5V可选
　　访问时间：10纳秒
　　封装类型：TSOP
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　输入/输出电平：TTL兼容
　　数据保持电压：2V（最低）
　　封装引脚数：52
　　封装尺寸：标准TSOP尺寸
　　最大工作频率：100MHz
　　功耗：典型电流约100mA
　　存储模式：异步

CXK58257BM-10LLB具有多种显著特性，使其在高性能存储应用中表现出色。首先，该芯片采用高速CMOS工艺，提供10ns的访问时间，确保快速的数据读写操作，适用于高速缓存和实时系统。其次，它支持3.3V和5V双电源供电，增强了与不同系统电压的兼容性，适用于多种电路设计环境。
　　该SRAM芯片的低功耗特性使其在待机模式下仍能保持数据完整性，典型待机电流低于10mA，适用于对功耗敏感的应用。此外，其TTL兼容输入/输出接口允许与多种控制器和处理器直接连接，简化了电路设计和集成过程。
　　CXK58257BM-10LLB采用TSOP封装，具有良好的散热性能和较小的PCB占用空间，适合高密度电路板设计。其工业级温度范围（-40°C至+85°C）使其适用于恶劣的工业环境，确保在各种条件下都能稳定运行。此外，该芯片支持异步存储模式，允许灵活的时序控制和数据访问。

CXK58257BM-10LLB广泛应用于需要高速、低功耗存储的电子系统中。常见的应用包括工业自动化控制系统，如PLC（可编程逻辑控制器）和工业计算机，用于存储临时数据和程序变量。此外，它也适用于通信设备，如路由器、交换机和基站模块，用于高速缓存和数据缓冲。
　　在嵌入式系统中，该芯片可用于作为外部存储器扩展，提升微控制器或DSP的处理能力。在消费类电子产品中，CXK58257BM-10LLB可用于智能家电、高端音视频设备以及游戏机外设等应用场景。此外，它还适用于测试设备、测量仪器和数据采集系统，用于高速数据暂存和处理。

CY62148BLL-10ZSXC, IDT71V016S, AS7C34098A-10TC