CXK5816M-10L 是一款高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片,由Cypress Semiconductor(赛普拉斯半导体)公司生产。该芯片具有高速访问时间和低功耗特性,适用于需要快速数据存取的应用场景。CXK5816M-10L采用CMOS工艺制造,具有较高的可靠性和稳定性。
容量:16Mbit
组织结构:1M x 16
访问时间:10ns
电源电压:3.3V
封装类型:TSOP
引脚数:54
工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
接口类型:并行接口
最大工作频率:100MHz
CXK5816M-10L SRAM芯片具有多项优越特性,适用于高性能存储应用。其10ns的访问时间确保了快速的数据读写能力,适用于需要高速缓存的系统。芯片采用低电压3.3V供电,降低了功耗,同时保证了稳定的工作性能。其TSOP封装形式有助于节省PCB空间,并便于表面贴装工艺。此外,该芯片具有宽广的工作温度范围(-40°C至+85°C),适用于工业环境下的稳定运行。CMOS工艺不仅提高了芯片的抗干扰能力,还降低了静态功耗,使其适用于对能效有要求的应用。并行接口设计支持高速数据传输,适用于需要高带宽的系统,如网络设备、嵌入式系统和工业控制设备。
CXK5816M-10L SRAM芯片广泛应用于各种需要高速缓存和临时数据存储的电子设备中。常见应用包括网络交换机和路由器的缓存存储、嵌入式系统的高速数据缓冲、工业控制系统的临时存储、测试测量设备的数据暂存以及消费类电子产品的内部存储。由于其高速访问时间和低功耗特性,该芯片特别适合用于需要快速响应和低功耗运行的系统中。
CY7C1380D-100BZXC, IDT71V416S10PFG, AS7C31026EC-10BIN