CXK581100YM10L是一款由Cypress Semiconductor(赛普拉斯半导体)生产的异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件主要用于需要高速数据访问和高可靠性的应用中,如工业控制系统、通信设备、测试仪器等。该芯片采用CMOS技术制造,具有低功耗、高速度和宽温度范围的特点,适合各种严苛环境下的使用。
容量:1 Mbit(128K x 8)
电压范围:2.3V至3.6V
访问时间:10 ns
封装类型:TSOP
引脚数量:54
工作温度范围:-40°C至+85°C
最大工作频率:100 MHz
输入/输出电压兼容性:3.3V/5V
封装尺寸:8mm x 14mm
封装厚度:1.2mm
存储温度范围:-65°C至+150°C
最大电流消耗:100 mA
待机电流:10 mA
CXK581100YM10L SRAM芯片采用先进的CMOS工艺制造,确保了其在高速访问时仍能保持较低的功耗。该芯片的访问时间为10纳秒,适用于需要快速数据存取的应用场景。其支持的电压范围为2.3V至3.6V,使其能够在不同电源条件下稳定工作。此外,该芯片具有宽工作温度范围(-40°C至+85°C),适用于工业级环境。
该芯片采用54引脚TSOP封装,具有较小的封装尺寸(8mm x 14mm),非常适合空间受限的应用。其输入/输出引脚兼容3.3V和5V电压,方便与不同系统的接口连接。此外,CXK581100YM10L在待机模式下的电流仅为10mA,有助于降低系统的整体功耗。
在可靠性方面,该芯片符合工业标准,具备高抗干扰能力和长使用寿命。其存储单元采用静态设计,无需刷新操作,保证了数据的稳定性和实时访问能力。因此,该芯片适用于对数据完整性要求较高的应用场景,如网络设备、工业控制器和医疗仪器。
CXK581100YM10L SRAM芯片广泛应用于需要高速数据存储和低功耗的电子系统中。典型应用包括通信设备中的数据缓存、工业控制系统中的临时数据存储、测试仪器中的高速缓冲存储器、网络设备中的路由表存储、嵌入式系统中的程序存储器等。此外,该芯片也适用于汽车电子、航空航天和军事设备等对可靠性要求较高的领域。
CY62148EV30LL-10ZSXI, IDT71V016S, IS61LV256AL