类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：4.3A
　　导通电阻（Rds(on)）：27mΩ @ Vgs = 4.5V
　　导通电阻（Rds(on)）：35mΩ @ Vgs = 2.5V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：8 引脚 SOIC

CXG1118ER-T2 的核心优势在于其低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高系统效率。该器件在 Vgs = 4.5V 时的 Rds(on) 仅为 27mΩ，在更低的 Vgs = 2.5V 下也能保持 35mΩ 的低阻状态，这使得它在低电压应用中依然具有良好的性能表现。此外，该 MOSFET 具有优异的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，确保长时间工作的可靠性。其 8 引脚 SOIC 封装不仅节省空间，还提供了良好的散热性能，适合高密度 PCB 设计。该器件符合 RoHS 环保标准，适用于环保型电子产品设计。
　　CXG1118ER-T2 还具备快速开关特性，有助于降低开关损耗，提高电源转换效率。其栅极电荷（Qg）较低，支持高频操作，适合用于 DC-DC 转换器、同步整流器等高频应用。此外，该器件的漏极电流能力高达 4.3A，能够在中等功率应用中提供稳定可靠的性能。其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 +150°C）确保其在极端环境下的稳定运行，适用于工业控制、消费电子、汽车电子等多个领域。

CXG1118ER-T2 主要应用于电源管理系统、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统、便携式电子产品、工业控制设备、服务器电源、LED 照明驱动器等场景。其低导通电阻和高电流能力使其在高效能电源转换系统中表现出色，尤其是在需要高效率和小尺寸设计的应用中，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携设备。此外，其良好的热性能和稳定性也使其适用于高温环境下的工业和汽车电子系统。
　　在电机控制应用中，CXG1118ER-T2 可用于 H 桥电路中，实现对直流电机或步进电机的双向控制。其快速开关特性和低 Rds(on) 有助于减少功率损耗，提高电机驱动效率。在电池管理系统中，该 MOSFET 可用于充放电控制电路，确保电池的安全充放电操作。

Si2302DS, FDN304P, AO3400A