500X14W221MV4T 是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等场景。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,能够有效提升系统效率并减少发热。
其封装形式为TO-263(D2PAK),适合表面贴装技术(SMT),能够满足高密度电路板设计需求。此外,该器件还具备出色的热稳定性和电气性能,在各种恶劣环境下均能保持可靠运行。
最大漏源电压:100V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:30A
导通电阻:4mΩ
栅极电荷:55nC
开关时间:开启时间 8ns,关断时间 12ns
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
500X14W221MV4T 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(4mΩ),有助于降低功耗并提高系统效率。
2. 快速开关能力,适用于高频应用场合。
3. 高额定电流(30A)和耐压值(100V),确保在复杂电路中的稳定性。
4. 先进的热管理设计,支持长时间稳定运行。
5. 符合RoHS标准,环保且安全可靠。
6. TO-263封装形式,便于自动化生产和组装。
这些特性使得该器件非常适合需要高效能量转换的应用环境,例如电动汽车充电设备、工业控制装置以及通信电源系统。
500X14W221MV4T 芯片广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动与控制
4. 太阳能逆变器
5. 工业自动化设备
6. 电动车充电桩
7. 通信基站电源
由于其优异的性能和可靠性,这款功率MOSFET在现代电子系统中扮演着重要角色,尤其在需要高效功率转换和低损耗的场景下表现出色。
IRFZ44N
STP30NF10L
FDP5810
AOT290L