CXG1090TN-T2 时间：2025/8/18 19:59:31 阅读：18

CXG1090TN-T2 是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗并提高了能效。该MOSFET通常用于DC-DC转换器、同步整流、负载开关和电池管理系统等应用。CXG1090TN-T2 采用TSSOP封装，具有良好的热性能和电气性能，适用于紧凑型和高功率密度设计。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：10A
　　导通电阻（RDS(on)）：@4.5V=12mΩ，@2.5V=17mΩ
　　功耗（PD）：3.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装：TSSOP

特性

CXG1090TN-T2 MOSFET采用先进的沟槽技术，确保了在低栅极电压下仍具有出色的导通性能。该器件的导通电阻非常低，在4.5V的栅极电压下仅为12mΩ，这大大降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，该MOSFET在2.5V的栅极电压下也能保持较低的导通电阻（17mΩ），适用于低电压驱动电路。
　　该MOSFET具有高电流承载能力，连续漏极电流可达10A，适用于中高功率应用。其TSSOP封装不仅体积小巧，还具备良好的热管理能力，能够有效散热，延长器件使用寿命。CXG1090TN-T2的工作温度范围为-55°C至150°C，适用于各种恶劣环境条件下的稳定运行。
　　此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽（±20V），增强了其在不同电路设计中的适用性。其高耐压能力和低导通电阻特性相结合，使其成为高效能电源转换和负载开关应用的理想选择。

应用

CXG1090TN-T2 MOSFET广泛应用于多种电源管理与功率电子系统中。常见应用包括DC-DC转换器中的同步整流器，以提高转换效率；在负载开关电路中，作为高效能开关元件，控制电源的通断；在电池管理系统中，用于充放电控制和保护电路；以及在电机驱动和电源分配系统中，作为主开关元件。此外，由于其低导通电阻和高电流能力，CXG1090TN-T2也非常适合用于高密度电源模块和嵌入式系统中的电源管理。