时间：2025/8/18 17:54:10
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CXG1034TN-T2是一款由Comtech/CG生产的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），适用于高频和高功率应用。该晶体管采用先进的硅栅技术，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热稳定性。其主要设计用于射频功率放大器、电源管理和电机控制等需要高效能功率器件的场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：100V
最大栅源电压（Vgs）：20V
最大漏极电流（Id）：连续80A，脉冲500A
导通电阻（Rds(on)）：典型值0.0035Ω（在Vgs=10V时）
功率耗散（Pd）：200W
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装类型：TO-247
CXG1034TN-T2具备多项优异特性，使其在高功率应用中表现卓越。首先，其超低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其次，该器件采用先进的硅栅工艺，提供了卓越的开关性能，适合高频应用。此外，CXG1034TN-T2具有高耐压能力和强大的电流承载能力，确保在极端工作条件下仍能稳定运行。该晶体管的封装设计优化了热管理，有助于快速散热，提升器件的可靠性和寿命。最后，其宽工作温度范围使其适用于各种严苛环境下的应用。
CXG1034TN-T2广泛应用于需要高功率和高效率的电子系统中。例如，它常用于DC-DC转换器、同步整流器、电源管理系统以及高频功率放大器。在电机控制领域，该MOSFET也用于驱动大功率直流电机和步进电机。此外，它还适用于太阳能逆变器、电池管理系统和电动工具等新兴应用领域。
IRF1405, SiR876DP, FDP8880
