类型：N沟道JFET
　　漏极电流（IDSS）：典型值2.0mA至20mA（在VGS=0V时）
　　夹断电压（VP）：-0.5V至-5.0V
　　最大漏极-源极电压（VDS）：25V
　　最大栅极-源极电压（VGS）：-25V
　　最大功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

高输入阻抗：2N3819具有非常高的输入阻抗，这使其成为高精度模拟信号处理应用的理想选择。
　　低噪声性能：该器件具有出色的低噪声特性，适用于前置放大器和音频放大电路。
　　良好的线性度：2N3819的线性工作范围宽，适用于混频器和模拟开关等需要线性响应的应用。
　　热稳定性好：该JFET具备良好的热稳定性，能够在较宽的温度范围内保持稳定的性能。
　　封装形式：通常采用TO-92或SOT-23封装，便于在多种电路板上安装和使用。

音频前置放大器：由于其低噪声特性和高输入阻抗，2N3819广泛用于音频放大器的前置级设计。
　　模拟开关和混频器：在射频和模拟电路中，该器件用于构建低失真的模拟开关和混频器电路。
　　信号处理电路：在需要高线性度和低失真的信号处理电路中，如滤波器和调制解调器中，2N3819也是常用元件。
　　射频放大器：在RF应用中，该器件可用于构建低噪声放大器（LNA），提升接收系统的灵敏度。
　　测试和测量设备：由于其稳定性和可靠性，该器件常用于测试设备中的信号采集和处理电路。

J201, BF245C, 2N5457, 2SK117