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K9W8G08U1M-PCBO 发布时间 时间:2025/5/12 13:59:06 查看 阅读:5

K9W8G08U1M-PCBO 是一款由三星(Samsung)生产的NAND闪存芯片。该芯片基于MLC(多层单元)技术,具有高密度和高速度的特性,广泛应用于嵌入式存储设备、固态硬盘(SSD)、移动设备和其他需要大容量存储的场景。其采用BGA封装形式,适合大规模数据存储需求。
  这款芯片的主要功能是提供可靠的非易失性存储解决方案,能够在断电后继续保存数据,适用于各种工业级和消费级应用。

参数

存储容量:8GB
  存储类型:NAND Flash
  接口类型:Toggle Mode 2.0
  工作电压:1.8V
  封装形式:BGA 169 Balls
  数据位宽:8-bit
  页面大小:8KB
  块大小:512KB
  最大读取速度:400 MB/s
  最大写入速度:200 MB/s
  工作温度范围:0°C 至 +70°C

特性

K9W8G08U1M-PCBO 具有以下主要特性:
  1. 高性能:支持Toggle Mode 2.0接口,可实现更高的数据传输速率。
  2. 大容量:单颗芯片即可提供8GB的存储空间。
  3. 可靠性:采用了MLC技术,能够提供更长的数据保存周期和更好的擦写耐久性。
  4. 小型化设计:BGA封装形式使该芯片非常适合于空间受限的应用环境。
  5. 节能:较低的工作电压减少了功耗,延长了电池供电设备的使用寿命。
  6. 易于集成:标准化的接口和协议简化了系统设计与开发过程。

应用

K9W8G08U1M-PCBO 广泛应用于以下领域:
  1. 固态硬盘(SSD):
  作为核心存储组件,为SSD提供大容量和高性能的数据存储能力。
  2. 嵌入式系统:
  在工业控制、网络通信等嵌入式系统中,用于存储操作系统、应用程序和用户数据。
  3. 移动设备:
  智能手机、平板电脑等移动终端使用此类芯片来满足日益增长的存储需求。
  4. 数字消费电子产品:
  如数码相机、摄像机等设备中,用作内部存储介质以保存图片、视频等内容。
  5. 数据记录设备:
  例如行车记录仪、监控摄像头等需要持续记录数据的设备中。

替代型号

K9WBG08U1M-BCK0, K9WBG08U1D-SCK0

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