CX06830-16 时间：2025/10/30 20:59:20 阅读：16

CX06830-16是一款由矽力杰（Silan）推出的高性能、高可靠性的场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及其他功率开关场合。该器件采用先进的沟槽型技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等优点。CX06830-16属于N沟道增强型MOSFET，适用于中等功率水平的开关应用，能够在较高的电压和电流条件下稳定工作。其封装形式为DFN3x3或类似小型化表面贴装封装，有利于节省PCB空间并提升系统集成度。由于具备优良的电气性能和封装特性，该芯片被广泛用于消费类电子产品、工业控制设备以及便携式电源系统中。
　　作为一款标准化生产的功率MOSFET，CX06830-16符合RoHS环保要求，并通过了多项国际质量认证，确保在各种工作环境下的长期可靠性。其设计目标是在保证高效能的同时降低系统功耗，提高整体能效水平。此外，该器件还具备较强的抗静电能力和瞬态过压保护能力，有助于提升系统的安全性和稳定性。对于需要频繁开关操作的应用场景，CX06830-16展现出优异的动态响应特性和较低的栅极电荷，从而减少驱动损耗，优化系统效率。

参数

型号：CX06830-16
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大连续漏极电流（ID）：16A @ 25°C
　　导通电阻（RDS(on)）：10mΩ @ VGS=10V, 8mΩ @ VGS=4.5V
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1.0V ~ 2.5V
　　最大栅源电压（VGSM）：±20V
　　输入电容（Ciss）：1700pF @ VDS=30V
　　输出电容（Coss）：400pF @ VDS=30V
　　反向恢复时间（trr）：25ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：DFN3x3

特性

CX06830-16采用先进的沟槽型MOSFET工艺，具备极低的导通电阻，这使得在大电流传输过程中产生的功率损耗显著降低，有效提升了系统的整体能效。其RDS(on)在VGS=4.5V时仅为8mΩ，在同类产品中处于领先水平，特别适合用于电池供电设备或对效率要求较高的DC-DC变换器中。低导通电阻不仅减少了发热，也降低了散热设计的复杂度，有助于实现更紧凑的产品结构。
　　该器件具有快速的开关响应能力，得益于其较小的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），在高频开关应用中表现出色。例如，在同步整流、BUCK转换器或半桥拓扑结构中，能够实现更高的转换频率而不会带来明显的驱动损耗。同时，其输出电容Coss较低，有助于减小关断过程中的能量损耗，进一步提升效率。
　　热稳定性方面，CX06830-16在高温环境下仍能保持稳定的电气性能，最大结温可达150°C，并且封装采用了高效的热导材料与底部散热焊盘设计，使热量可以迅速传导至PCB，从而延长器件寿命并提高系统可靠性。此外，该MOSFET具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或感性负载切换时提供一定的自我保护机制。
　　在实际应用中，CX06830-16展现出优异的抗干扰能力和长期运行稳定性。其栅极氧化层经过特殊处理，提高了耐压能力，防止因静电放电（ESD）导致的早期失效。同时，该器件支持逻辑电平驱动，可在4.5V至10V的VGS范围内正常工作，兼容多种常见的PWM控制器和驱动IC，便于系统集成。

应用

CX06830-16主要应用于各类中高功率密度的电源管理系统中。典型应用场景包括但不限于：同步整流式DC-DC降压（Buck）转换器，其中作为下管或上管使用，利用其低RDS(on)和快速开关特性来提升转换效率；在便携式电子设备如笔记本电脑、平板电脑和移动电源中，用于电池充放电管理电路，确保能量高效传递并减少发热。
　　在电机驱动领域，该器件可用于H桥或半桥驱动电路中，控制直流电机或步进电机的正反转及调速功能，尤其适用于无人机、电动工具和家用电器中的小型电机控制模块。其高电流承载能力和良好的热性能保障了长时间运行的稳定性。
　　此外，CX06830-16还可用于LED恒流驱动电源、热插拔控制器、电源开关模块以及各类工业控制板卡的功率开关部分。在这些应用中，它不仅能承受较高的脉冲电流，还能在频繁启停的工作模式下保持可靠运行。由于其小型化封装，非常适合空间受限的设计需求，例如超薄显示器背光驱动或嵌入式工控主板上的电源分配单元。
　　在通信设备和网络终端中，该MOSFET也常用于PoE（以太网供电）接口的后级电源调节电路，配合专用PD控制器实现安全高效的电力分配。总之，凭借其出色的电气性能和广泛的适用性，CX06830-16已成为许多现代电子系统中不可或缺的核心功率元件之一。