继电器类型：射频继电器
　　触点配置：DPDT（双刀双掷）
　　额定电压：12V DC（线圈电压）
　　频率范围：DC 至 6 GHz
　　最大工作电压：未提供
　　最大工作电流：未提供
　　接触电阻：小于2毫欧
　　绝缘电阻：大于10^9欧姆
　　插入损耗：典型值0.2dB @ 3GHz
　　回波损耗：典型值20dB @ 3GHz
　　隔离度：典型值60dB @ 3GHz
　　机械寿命：超过100万次
　　电气寿命：超过10万次
　　封装类型：陶瓷密封封装
　　安装方式：表面贴装（SMD）

CW201212-R12G作为一款高性能射频继电器，具有多项优异特性。其DPDT触点结构允许同时控制两个独立电路的切换，适用于复杂信号路由应用。该器件的工作频率范围覆盖DC至6GHz，支持多种射频和微波应用，具备良好的宽带性能。
　　在电气性能方面，CW201212-R12G的插入损耗极低，通常在0.2dB以下，确保信号传输过程中的能量损失最小化。其回波损耗高达20dB，表明其具有优异的阻抗匹配能力，可有效减少信号反射。此外，该继电器的隔离度可达60dB，确保在断开状态下信号之间的干扰最小。
　　该继电器采用陶瓷密封封装技术，具有优良的气密性和环境适应性，能够在高温、高湿或其他恶劣工作条件下保持稳定运行。此外，CW201212-R12G的机械寿命超过100万次，电气寿命也达到10万次以上，显示出极高的耐用性和可靠性。
　　其表面贴装（SMD）封装方式便于自动化生产和PCB集成，适用于现代高频电子设备的紧凑设计需求。线圈电压为12V DC，驱动电路设计相对简单，兼容大多数控制系统。

CW201212-R12G广泛应用于高频测试设备、自动测试设备（ATE）、通信基础设施（如基站和光模块）、无线局域网（WLAN）、雷达系统、航空航天和国防电子设备、工业控制和自动化系统等领域。该继电器特别适合需要高频切换、高可靠性和低信号损耗的应用场景，例如在射频信号源切换、天线选择、滤波器切换、测试仪器输入输出路由控制等方面表现出色。

CQ2112N-R12Z, G6Y-2F-TR-DC12V, KSK-12D-S-DC12V