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CURNM104-HF 发布时间 时间:2025/12/26 22:47:46 查看 阅读:12

CURNM104-HF是一款由Comchip Technology生产的表面贴装肖特基势垒二极管,采用SOD-123FL封装。该器件专为高频、高效率的整流应用设计,适用于各类消费电子、通信设备及电源管理系统中。作为一款单体二极管,CURNM104-HF具备低正向电压降和快速开关响应的特性,能够有效降低功耗并提升系统整体能效。该二极管符合RoHS环保标准,并支持无铅焊接工艺,适合现代绿色电子产品制造要求。其小型化封装结构使其在空间受限的应用场景中具有显著优势,例如便携式设备和高密度PCB布局中。此外,该器件在反向击穿电压和漏电流方面表现出良好的稳定性,可在较宽的温度范围内可靠运行,增强了系统的环境适应性。

参数

产品类型:肖特基二极管
  配置:单路
  封装/外壳:SOD-123FL
  是否无铅:是
  是否符合RoHS:是
  最大重复反向电压(VRRM):40V
  最大直流阻断电压(VR):40V
  最大正向平均电流(IF(AV)):1A
  峰值正向浪涌电流(IFSM):30A(8.3ms半正弦波)
  最大正向电压降(VF):0.5V @ 1A, 25°C
  最大反向漏电流(IR):0.1mA @ 40V, 25°C
  工作结温范围(TJ):-55°C 至 +125°C
  热阻(RθJA):约350°C/W
  反向恢复时间(trr):典型值< 5ns

特性

CURNM104-HF的核心优势在于其采用肖特基势垒技术,实现了极低的正向导通压降与超快的开关速度。该器件在1A电流下的最大正向压降仅为0.5V,显著低于传统PN结二极管,从而大幅减少了导通状态下的功率损耗,特别适用于低压大电流的电源转换场景,如DC-DC转换器、同步整流电路和电池充电管理模块。其超低的反向恢复时间(通常小于5ns)确保了在高频开关条件下仍能保持高效运行,避免了因反向恢复电荷引起的能量浪费和电磁干扰问题,提升了整个电源系统的动态响应能力和稳定性。
  该二极管的SOD-123FL封装具有较小的体积(约2.7mm x 1.6mm x 1.1mm),适合高密度贴装需求,同时具备良好的散热性能和机械强度。封装材料采用环保型塑封树脂,具备优异的耐湿性和抗老化能力,能够在严苛环境下长期稳定工作。器件通过AEC-Q101可靠性认证的可能性较高,因此也可用于对可靠性要求较高的工业控制或车载电子系统中。
  CURNM104-HF的反向漏电流控制在极低水平,在室温下不超过0.1mA,即便在高温条件下也能保持相对稳定的漏电特性,这有助于减少待机模式下的静态功耗。其-55°C至+125°C的工作结温范围覆盖了绝大多数实际应用场景,包括高温环境下的户外设备或密闭空间内的长时间运行系统。此外,高达30A的峰值浪涌电流承受能力使其在面对瞬态过流事件(如电源上电冲击或负载突变)时具备较强的鲁棒性,提升了系统的安全裕度。

应用

CURNM104-HF广泛应用于需要高效、紧凑型整流解决方案的电子系统中。常见用途包括开关模式电源(SMPS)中的续流与箝位二极管、DC-DC升压或降压转换器中的输出整流元件、反向极性保护电路以及电池供电设备中的隔离二极管。由于其快速响应和低损耗特性,也常被用于USB电源接口、便携式充电器、LED驱动电源和无线充电接收模块等消费类电子产品中。此外,在通信设备的电源管理单元、主板上的局部电源轨隔离、以及各类适配器和AC-DC电源适配器次级侧整流中均有广泛应用。其小型封装还使其成为可穿戴设备和物联网终端的理想选择。

替代型号

SR1A-13-F
  MBR120VS1T1G
  SS14
  B120A
  PMES210CT

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