时间：2025/6/23 10:29:13
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BSR202N是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。它具有低导通电阻和快速开关特性，能够有效地降低功率损耗并提高系统效率。
该器件采用TO-252封装形式，具备较高的电流承载能力和耐压能力，适合在中高功率电路中使用。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：8A
导通电阻：0.1Ω
总功耗：1.4W
工作结温范围：-55℃ to +150℃
BSR202N具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），从而减少传导损耗，提升整体效率。
2. 快速开关速度，适用于高频应用环境。
3. 较高的电流处理能力，支持大负载需求。
4. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
5. 良好的热稳定性，能够在较宽的温度范围内可靠运行。
6. 内置防静电保护机制，提高了器件的鲁棒性。
BSR202N主要应用于以下领域：
1. 开关电源中的同步整流器。
2. DC-DC转换器及升降压模块。
3. 电机驱动与控制电路。
4. 各类负载开关应用。
5. 电池管理系统（BMS）中的保护电路。
6. 工业自动化设备中的功率控制部分。
IRLZ44N
FDP5500
AO3402A
