时间：2025/12/27 12:56:03
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CU4032K75G是一款由Comchip Technology公司生产的表面贴装硅瞬态电压抑制二极管（TVS Diode），主要用于保护敏感电子设备免受瞬态高压脉冲的损害，例如静电放电（ESD）、电感负载切换、雷击感应等引起的过电压事件。该器件具有快速响应时间、高浪涌吸收能力和低钳位电压等特点，适用于多种需要高可靠性保护的电路应用场景。CU4032K75G采用SMA封装（DO-214AC），体积小巧，适合在空间受限的PCB设计中使用，广泛应用于通信设备、消费类电子产品、工业控制和电源管理系统等领域。该TVS二极管为单向击穿类型，意味着其工作特性类似于一个仅在一个方向上响应瞬态电压的齐纳二极管，通常用于直流电源线或信号线路的正向过压保护。其命名中的“K”代表击穿电压容差为±5%，“75”表示标称击穿电压约为75V，而“G”可能指代特定的包装或产品变体。作为一款高性能保护器件，CU4032K75G能够在短时间内承受高达400W的峰值脉冲功率（依据IEC 61000-4-2标准测试条件），同时保持较低的动态电阻以实现高效的电压钳制效果。
器件类型：TVS二极管
极性：单向
封装：SMA（DO-214AC）
反向关态电压（Vrm）：67V
击穿电压（Vbr）：最小74.25V，典型75V，最大78.75V
测试电流（Itest）：1mA
最大钳位电压（Vc）：103V
峰值脉冲电流（Ipp）：3.88A
峰值脉冲功率（Pppm）：400W
响应时间：小于1ns
CU4032K75G的核心特性之一是其优异的瞬态电压抑制能力，这得益于其采用的高掺杂硅PN结结构，在遭遇瞬态过电压时能够迅速从高阻态转变为低阻态，将多余能量引导至地线，从而有效保护下游电路元件。其击穿电压范围经过严格控制，典型值为75V，允许偏差±5%，确保了在不同批次间的性能一致性与系统设计的可预测性。该器件在反向截止状态下漏电流极低，通常小于5μA，因此不会对正常工作的电路造成额外功耗负担。当受到超过其击穿阈值的瞬态冲击时，CU4032K75G可在纳秒级时间内导通，并将电压钳制在103V以下，显著降低被保护节点所承受的实际电压应力。
另一个关键优势是其强大的浪涌承受能力，支持400W的峰值脉冲功率（按照10/1000μs波形定义），使其适用于较严苛的电磁环境。SMA封装不仅节省空间，还具备良好的热传导性能，有助于在多次瞬态事件后快速散热，提升长期运行的稳定性。此外，该器件符合RoHS环保标准，无铅且符合现代绿色制造要求。由于其单向特性，特别适用于直流供电线路的正极保护，如USB端口电源线、DC输入接口、微控制器电源引脚等场景。整体而言，CU4032K75G结合了快速响应、高可靠性与紧凑尺寸，是现代电子系统中理想的过压保护解决方案之一。
CU4032K75G常用于各类需要防止瞬态过电压损坏的电子系统中，典型应用包括但不限于：便携式消费电子产品（如智能手机、平板电脑、蓝牙设备）中的电源轨保护；工业自动化控制系统中传感器接口与通信总线的防护；电信基础设施设备（如路由器、交换机、基站模块）的ESD抑制；以及家用电器中的直流电源模块抗干扰设计。具体电路位置可部署于电源输入端口、电池连接器、数据传输线路（配合其他保护元件）等易受外部电气扰动影响的关键节点。此外，也可用于汽车电子辅助系统（非直接车载动力系统）中的低压直流电路保护，例如车载导航、信息娱乐系统等。由于其具备较高的电压等级（约75V击穿），该器件适合用于12V、24V乃至48V直流系统的次级保护层级，尤其在存在开关噪声或长线缆感应电压的情况下表现良好。
TPSMAJ75A
