CT2104 时间：2025/9/6 11:26:34 阅读：18

CT2104是一款高性能、低功耗的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电池供电设备中。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适合高效率和高密度的电源设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：4.1A（在25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：42mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　功率耗散（Pd）：1.4W
　　工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
　　封装形式：SOT-23

特性

CT2104具备多项优异特性，确保其在各种电源应用中稳定可靠地工作。首先，其低导通电阻显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。此外，该MOSFET具有较高的电流承载能力和良好的热稳定性，适合在高负载条件下运行。其SOT-23封装形式紧凑，便于在空间受限的设计中使用，同时支持表面贴装工艺，提高生产效率。
　　CT2104还具有良好的栅极电荷特性，使其在高频开关应用中表现出色，减少了开关损耗。此外，该器件的阈值电压较低，通常在1V至2.5V之间，确保了良好的驱动兼容性，适用于多种控制电路。内置的体二极管也提供了反向电流保护功能，增强了系统的可靠性。
　　该MOSFET的制造工艺采用了先进的硅技术，确保了器件在高温和高湿环境下的长期稳定性。同时，其符合RoHS环保标准，适用于对环境要求较高的电子产品设计。

应用

CT2104因其高性能和小尺寸封装，被广泛应用于多个领域。其中包括：便携式电子设备（如智能手机、平板电脑和笔记本电脑）中的电源管理模块；DC-DC降压/升压转换器；负载开关和电池保护电路；电机驱动电路；以及各类工业自动化设备和消费类电子产品中的功率控制部分。此外，该器件也可用于LED驱动、充电管理以及开关电源中的高频整流和同步整流应用。