时间：2025/5/24 14:04:10
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CSTCV20M0X51S-R0 是一款高性能的陶瓷电容器，属于 C0G (NP0) 类介质材料。该电容器具有高稳定性和低损耗特性，适合在高频电路和精密模拟电路中使用。CSTCV20M0X51S-R0 的封装尺寸紧凑，非常适合空间受限的应用场景。其额定电压和电容量经过严格筛选，确保了在各种环境条件下的可靠性能。
电容值：20pF
额定电压：50V
公差：±0.5pF
工作温度范围：-55℃ 至 +125℃
介质材料：C0G/NP0
封装类型：0603 (公制 1608)
直流偏置特性：无显著变化
ESR（等效串联电阻）：<10mΩ
CSTCV20M0X51S-R0 使用 C0G 介质材料，因此具有极其稳定的电气特性，即使在温度、频率和时间变化的情况下也表现出极小的偏差。
该型号的电容器具有较低的等效串联电阻 (ESR)，能够提供更高效的滤波和信号调节功能。
此外，它能够在广泛的温度范围内保持一致的性能，使其适用于严苛的工作环境。例如，在汽车电子系统或工业控制设备中表现优异。
由于其体积小巧，CSTCV20M0X51S-R0 非常适合用于高密度设计的 PCB 板上，并且其表面贴装技术 (SMT) 封装易于自动化装配。
CSTCV20M0X51S-R0 广泛应用于高频振荡器、滤波器以及射频 (RF) 电路中的匹配和耦合元件。
此外，它还适用于时钟电路、晶体振荡器负载电容以及其他需要高精度和高稳定性的应用场景。
在无线通信设备、医疗仪器、航空航天设备等领域，CSTCV20M0X51S-R0 凭借其优异的性能成为理想选择。
CSTCV20M0G51S-R0
C0G20PF50V0603
K Schmidt TDK C2012C200J5GAC
Murata GRM1555C1H20J01D
