时间：2025/7/7 9:45:24
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CST1250F-R82M 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高频功率晶体管，专为高效率、高频应用设计。该器件采用先进的 GaN-on-Si 工艺制造，具有极低的导通电阻和快速开关性能，适用于无线充电、DC-DC 转换器、通信电源以及激光雷达等应用场景。
该型号是 Cree 公司（现为 Wolfspeed）推出的增强型场效应晶体管 (eGaN FET)，其优化设计使得系统能够实现更小的尺寸、更高的功率密度和更低的能量损耗。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：50A
导通电阻：82mΩ
栅极电荷：65nC
反向恢复时间：无（由于 GaN 的特性）
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
CST1250F-R82M 拥有以下显著特性：
1. 高击穿电压：高达 1200V，确保在高压环境下稳定运行。
2. 极低的导通电阻：仅为 82mΩ，大幅降低传导损耗。
3. 快速开关速度：得益于 GaN 材料的优异性能，支持 MHz 级别的开关频率。
4. 高温适应性：能够在 -55℃ 至 +175℃ 的宽温度范围内可靠工作。
5. 小型化封装：采用紧凑设计，有助于减小整体电路板面积。
6. 零反向恢复损耗：与传统硅 MOSFET 不同，GaN 器件没有体二极管效应，从而消除反向恢复引起的能量损失。
这些特性使得 CST1250F-R82M 成为新一代高频功率转换系统的理想选择。
CST1250F-R82M 广泛应用于需要高效率和高频工作的场景，包括但不限于：
1. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的车载充电器。
2. 数据中心高效电源模块。
3. 工业电机驱动和伺服控制。
4. 高频 DC-DC 转换器和 PFC（功率因数校正）电路。
5. 无线充电设备。
6. 激光雷达 (LiDAR) 系统中的脉冲驱动。
7. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关应用。
通过利用其高频和高效的优势，可以显著提升上述应用的性能和可靠性。
CST1200F-R120M
CST1250F-R65M
