CST1240F-R33M 是一款陶瓷贴片电容器,属于 CST 系列,适用于高频滤波、耦合和去耦等应用。该型号采用多层陶瓷工艺制造,具有高稳定性和低ESL(等效串联电感)的特点,适合在高频电路中使用。
这款电容器的介质材料为 C0G(NP0),因此它具有出色的温度稳定性和频率稳定性,能够满足严格的工业标准和要求。
型号:CST1240F-R33M
电容量:33pF
额定电压:50V
公差:±5%
封装尺寸:0402英寸(1.0mm x 0.5mm)
介质材料:C0G(NP0)
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
特性:无极性
CST1240F-R33M 的主要特点是其高精度的容值以及对温度和频率变化的良好稳定性。这种电容器非常适合用于射频和微波电路中的滤波和匹配网络设计。此外,由于其小尺寸封装和表面贴装技术(SMT),它非常便于自动化装配和高密度电路板布局。
C0G(NP0)介质确保了在宽温度范围内电容量几乎不变,这使得该元件非常适合需要高稳定性的应用场景。另外,其低ESL性能使其在高频下的表现更加优异。
CST1240F-R33M 主要应用于高频电路中,包括但不限于以下场景:
1. 射频模块中的滤波和匹配网络
2. 振荡器电路中的谐振元件
3. 高速数字电路中的电源去耦
4. 无线通信设备中的信号耦合
5. 医疗电子、汽车电子和其他对稳定性要求较高的领域
CST0603F-R33M
C0G33P0G50B8R
Kemet C0G Series 33pF