CST0850F-470M 是一款高性能的陶瓷电容器,采用多层陶瓷技术制造,具有低ESR(等效串联电阻)和高Q值特性。它主要适用于高频滤波、射频电路、信号耦合以及电源去耦等领域。该电容器的工作电压范围广泛,同时具备优异的温度稳定性和频率响应性能。
型号:CST0850F-470M
容量:470pF
额定电压:50V
公差:±5%
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
封装类型:0805
介质材料:C0G(NP0)
直流偏置特性:不显著
频率特性:在1MHz时损耗角正切≤0.001
CST0850F-470M 具有稳定的电气性能,特别是在高温和高频环境下表现尤为突出。
C0G(NP0)介质确保了其出色的温度稳定性,在整个温度范围内容量变化小于±30ppm/℃。
由于采用了多层陶瓷结构,这款电容器还具备较低的寄生电感,因此非常适合用于高频电路中。
此外,它的小型化设计使得其非常易于集成到紧凑型电子设备中。
CST0850F-470M 适用于多种电子领域,包括但不限于:
- 高频滤波器和射频前端模块
- 无线通信系统中的信号耦合与旁路
- 音频放大器中的去耦电容
- 微波电路和雷达系统的谐振回路
- 高速数字电路中的电源噪声抑制
- 工业控制及汽车电子中的精密滤波
CST0805C470J5G, KEMET C0805C470J5GACTU, TDK C0G1808C470J5PAC0805