时间：2025/9/1 14:54:22
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H9CCNNN8GTMLAR-NUM 是一款由SK Hynix（海力士）制造的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于高密度、高性能的存储器解决方案，通常用于需要大量数据处理和高速内存访问的应用场景。这款DRAM芯片采用先进的制造工艺，具备较高的数据吞吐率和较低的延迟特性，使其非常适合用于现代计算设备和嵌入式系统。
类型：DRAM
容量：256MB
封装类型：168-ball FBGA
数据速率：1600Mbps
电压：1.35V（低电压设计）
接口：x16
工作温度：-40°C 至 +85°C
时钟频率：800MHz
H9CCNNN8GTMLAR-NUM IC采用了先进的1x纳米级制造工艺，具有高性能和低功耗的双重优势。该芯片支持LPDDR3规格，能够在较低的电压（1.35V）下运行，从而显著降低功耗，延长移动设备的电池寿命。此外，其x16接口设计允许每个时钟周期传输16位数据，提高了数据传输效率。该DRAM芯片还具备出色的稳定性和可靠性，在高温环境下也能保持良好的性能表现，适用于工业级和汽车级应用。
这款DRAM IC的封装形式为168-ball FBGA，体积小巧，便于在紧凑型电路设计中使用。其1600Mbps的数据速率和800MHz的时钟频率使得该芯片能够满足高性能计算、图形处理和多任务操作的需求。同时，该芯片具备自动刷新、自刷新和深度掉电模式等节能功能，进一步优化了能耗管理。
H9CCNNN8GTMLAR-NUM IC广泛应用于各类高性能电子设备中，包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑、嵌入式系统和汽车电子系统。由于其出色的性能和低功耗特性，该芯片特别适合用于需要高效内存管理的移动设备和便携式电子产品。此外，它也常用于工业自动化控制系统、通信设备和消费类电子产品中，为这些设备提供快速可靠的数据存储与访问能力。
H9CCNNN8GTMxxx-xxx、H9CPNNL8GTMxxx-xxx、H9TNNN87GTxxx-xxx
