时间：2025/6/16 14:32:01
阅读：4
CST0420T-R68M 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率功率开关晶体管，专为高频和高功率密度应用而设计。该器件采用先进的封装技术，能够显著提高系统性能并降低功耗。它广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、无线充电设备以及电机驱动等场景。
型号：CST0420T-R68M
类型：增强型功率场效应晶体管 (eGaN FET)
导通电阻 (Rds(on))：68毫欧 (典型值，在Vgs=5V时)
最大漏源电压 (Vds)：100V
最大栅极驱动电压 (Vgs)：+6V/-4V
最大电流 (Id)：20A (脉冲)
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-252 (DPAK)
CST0420T-R68M 提供了卓越的电气性能和可靠性。其低导通电阻特性能够减少传导损耗，从而提高整体能效。
该器件还具备快速开关能力，可支持高达数兆赫兹的工作频率，非常适合高频应用场景。
同时，其出色的热稳定性和耐压能力确保了在极端条件下的可靠运行。此外，其紧凑的封装形式有助于减小电路板空间占用，并简化散热设计。
这款 GaN 功率开关晶体管适用于多种高性能电力电子应用，包括但不限于：
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器
2. 高频 DC-DC 转换模块
3. 无线充电发射端和接收端
4. 电动汽车充电设备中的功率转换电路
5. 工业级电机驱动控制器
6. 小型化、高效化的消费类电子产品设计
CST0420T-R80M, CST0420T-R50M
