CSS5019-0R11E 时间：2025/8/22 22:14:19 阅读：19

CSS5019-0R11E 是一款由 IXYS 公司生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专门设计用于高效率、高频率的电源转换应用。该器件具有低导通电阻、快速开关特性和高耐用性，非常适合用于DC-DC转换器、同步整流器、电源管理系统和电机控制等场景。CSS5019-0R11E采用先进的沟槽式MOSFET技术，使其在高频工作条件下仍能保持良好的性能。

参数

类型：功率MOSFET
　　漏源电压（VDS）：200 V
　　连续漏极电流（ID）：40 A
　　导通电阻（RDS(on)）：11 mΩ（最大值）
　　栅极电荷（Qg）：110 nC（典型值）
　　封装类型：TO-247
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　技术：沟槽式MOSFET
　　极性：N沟道

特性

CSS5019-0R11E的主要特性包括非常低的导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。该MOSFET在高频率下表现出色，支持快速开关操作，从而减少开关损耗并允许使用更小的磁性元件，进一步缩小电源系统的尺寸。此外，该器件具有高耐用性和热稳定性，能够在高温环境下长时间运行，增强了系统的可靠性和寿命。CSS5019-0R11E的封装设计优化了热管理性能，有助于快速散热，使其适用于高功率密度应用。
　　该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和过载保护功能，能够在突发的高电压或大电流情况下保持稳定运行。其栅极驱动设计兼容标准驱动器，简化了电路设计并降低了外围元件的成本。这些特性使得CSS5019-0R11E在工业电源、电动汽车充电系统、太阳能逆变器和高性能电源模块中具有广泛的应用前景。

应用

CSS5019-0R11E广泛应用于需要高效能和高频率操作的电力电子系统中。其典型应用包括高效率DC-DC转换器、同步整流器、服务器电源、电信电源系统、电池管理系统（BMS）、电动车辆充电器以及可再生能源逆变器等。由于其低导通电阻和快速开关特性，该MOSFET也常用于高性能电机驱动器和工业自动化控制系统中。