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CSRS3703B02-IBCE-T 发布时间 时间:2025/8/12 12:29:16 查看 阅读:6

CSRS3703B02-IBCE-T 是由 Cissoid 公司推出的一款高性能 SiC(碳化硅)双路功率 MOSFET 栅极驱动器。该器件专为碳化硅 MOSFET 和 Si MOSFET 的高速、高可靠性驱动而设计,适用于高功率密度和高温工作环境下的应用,如电动汽车(EV)、可再生能源系统、工业电机驱动和电源转换系统等。CSRS3703B02-IBCE-T 采用双通道、独立隔离驱动架构,具备高隔离电压、低传播延迟和出色的抗干扰能力,能够确保在恶劣工况下稳定运行。

参数

工作电压:15V ~ 25V
  隔离耐压:5700 Vrms(符合UL1577标准)
  输出驱动电流:+4A / -6A(峰值)
  传播延迟:典型值为35ns
  延迟匹配误差:±5ns
  工作温度范围:-40°C ~ +125°C
  封装形式:16引脚 SOIC
  驱动类型:双路独立栅极驱动器
  输入逻辑:兼容3.3V/5V CMOS/TTL
  短路保护能力:支持主动米勒钳位
  安全认证:UL、CSA、IEC 60950-1

特性

CSRS3703B02-IBCE-T 具备多项先进特性,确保其在高性能功率转换系统中的稳定运行。首先,该驱动器采用 Cissoid 独有的高温硅技术,能够在高达125°C的环境温度下可靠工作,非常适合在高温环境中使用的应用,如车载充电器和逆变器。其次,其高隔离电压(5700 Vrms)确保了系统的电气安全,同时满足工业和汽车应用中的严格安全标准。该器件的低传播延迟(典型35ns)和精确的延迟匹配(±5ns)有助于提高开关效率并减少交叉导通风险。此外,CSRS3703B02-IBCE-T 集成了主动米勒钳位功能,可以有效抑制由于高dv/dt引起的误开通,提升系统稳定性。其输出驱动能力高达+4A拉电流和-6A灌电流,能快速驱动SiC MOSFET,降低开关损耗。该驱动器还具备欠压锁定(UVLO)保护功能,确保在电源不足时关闭输出,避免器件损坏。整体设计符合AEC-Q100汽车电子标准,适用于严苛的汽车电子环境。
  此外,CSRS3703B02-IBCE-T 的封装形式为16引脚 SOIC,便于PCB布局和散热管理,同时满足工业级和汽车级封装标准。其输入接口兼容3.3V和5V逻辑电平,简化了与控制器(如MCU或DSP)的连接。该驱动器在设计上充分考虑了EMI(电磁干扰)抑制,通过优化内部布局和信号路径,降低高频噪声的产生,从而提升系统的电磁兼容性。由于其出色的性能和可靠性,CSRS3703B02-IBCE-T 被广泛应用于电动汽车主驱逆变器、OBC(车载充电器)、DC-DC转换器、太阳能逆变器以及工业电源系统中。

应用

CSRS3703B02-IBCE-T 主要应用于需要高效率、高可靠性和高温运行能力的电力电子系统中。典型应用包括电动汽车的主驱逆变器和车载充电器(OBC)、可再生能源系统中的太阳能逆变器和储能系统、工业电机驱动器、高压DC-DC转换器、UPS不间断电源、高频开关电源(SMPS)以及智能电网设备等。在这些系统中,CSRS3703B02-IBCE-T 可以高效驱动SiC或Si MOSFET,显著提高开关频率和系统效率,同时减少热量产生和散热需求。其高隔离耐压和主动米勒钳位功能特别适合在高dv/dt环境下工作,确保开关过程的安全和稳定。此外,该器件在汽车电子应用中表现出色,能够满足AEC-Q100标准下的严苛要求,适合用于下一代电动和混动汽车的电力驱动系统。

替代型号

Si8235BB-D-ISR, UCC21520DWPG4, ADuM4223-DCBZ, NCD57000DR2G

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