时间：2025/8/1 22:10:46
阅读：14
CSHD6-100C TR13 是一款由 IXYS 公司生产的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率功率转换应用设计。这款晶体管采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。它适用于各种工业控制、电源管理和电机驱动等应用领域。TR13 后缀表示该器件采用卷带封装，适合自动化生产和表面贴装。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：100V
最大漏极电流（Id）：60A
导通电阻（Rds(on)）：14.5mΩ（典型值）
栅极电压（Vgs）：±20V
功率耗散（Ptot）：200W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-263（D2Pak）
CSHD6-100C TR13 具有多个显著的性能特点。首先，其低导通电阻（Rds(on)）为14.5mΩ，这有助于降低导通损耗，提高系统的整体效率。此外，该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，使得晶体管在高频开关应用中表现出色，具有极低的开关损耗。
其次，CSHD6-100C TR13 的最大漏源电压为100V，最大漏极电流为60A，能够在高功率条件下稳定工作。这种高电流能力和高电压耐受性使其非常适合用于高功率密度的设计中。
再者，该MOSFET的封装形式为TO-263（D2Pak），这是一种表面贴装封装，具有良好的散热性能。由于其较大的封装尺寸和优化的热设计，CSHD6-100C TR13 能够在高功率应用中有效地将热量散发出去，从而提高器件的可靠性和寿命。
此外，该器件的栅极电压范围为±20V，提供了更高的灵活性和兼容性，适用于各种驱动电路。其工作温度范围为-55°C至175°C，表明其在极端温度条件下仍能保持稳定性能，适用于工业级和汽车电子应用。
最后，TR13 后缀表示该器件采用卷带封装，便于自动化生产和表面贴装工艺，提高了制造效率和可靠性。
CSHD6-100C TR13 适用于多种高功率和高效率应用。常见的应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统、工业自动化设备和电源管理系统。由于其高电流能力和优异的热性能，该MOSFET也常用于电动汽车（EV）充电系统、太阳能逆变器和不间断电源（UPS）等新能源应用中。此外，该器件还可用于高功率LED照明系统和工业电机控制电路，提供高效、可靠的功率转换解决方案。
SiM6686, IRF1404, IPB06N04LA, AUIRF1404S
