类型：GaN 功率集成电路（IC）
　　最大漏极电压（VDS）：650V
　　连续漏极电流（ID）：250mA（典型值）
　　导通电阻（RDS(on)）：未明确，由GaN特性决定
　　封装类型：PG-TDSON-8
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　驱动方式：自举集成驱动
　　输入电压范围：4.5V 至 20V（适用于栅极驱动）

INN2603KTL 具有多种显著的技术特性和优势，适用于高性能电源设计。
　　首先，基于 CoolGaN? 技术的功率晶体管具有极低的开关损耗和导通损耗，这使得 INN2603KTL 能够在高频率下工作，从而提高整体能效并减少散热需求。其高压能力（650V）适用于大多数 AC/DC 转换器设计，尤其是在宽输入电压范围的应用中表现优异。
　　其次，该器件集成了 GaN 功率晶体管和栅极驱动电路，极大简化了 PCB 设计，降低了寄生电感的影响，提升了高频开关性能。集成化设计还减少了设计复杂性，降低了系统成本和尺寸。
　　此外，INN2603KTL 具备先进的保护功能，例如过温保护（OTP）、过流保护（OCP）以及欠压锁定（UVLO），这些保护机制可确保器件在各种工作条件下安全运行，提高系统的可靠性和稳定性。
　　该器件的 PG-TDSON-8 封装形式具有优良的热性能，能够有效地将热量传导至 PCB，从而支持较高的功率密度设计。这种封装方式也便于自动化装配，适用于大规模生产。
　　由于 GaN 材料本身的特性，如高电子迁移率和低导通电阻，INN2603KTL 在高频应用中表现出色，适用于谐振转换器、LLC 转换器、反激式拓扑等常见电源架构。其高开关频率还允许使用更小的磁性元件，进一步减小电源体积并提升功率密度。
　　总的来说，INN2603KTL 凭借其 GaN 技术优势、集成化设计和多重保护功能，成为高效率、小型化电源系统的理想选择。

INN2603KTL 主要应用于对效率和功率密度要求较高的开关电源系统中。典型应用包括高性能电源适配器、USB PD 快充充电器、服务器电源、电信整流器、工业电源模块以及车载充电系统。此外，该器件适用于高频谐振变换器（如 LLC 转换器）、准谐振反激式变换器等拓扑结构，能够有效提升整体系统的能效和稳定性。在无线充电和新能源汽车相关应用中，INN2603KTL 也能提供优异的性能支持。

LTC7003, SiC621, GaNFast GF1504