时间：2025/3/31 17:46:49
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CSD95372AQ5MT是TI（德州仪器）推出的一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率、高频开关电源应用的功率级器件。该芯片集成了半桥配置，包括两个优化设计的GaN FET和对应的驱动器，以减少寄生参数影响并提高整体性能。
该器件主要应用于服务器电源、通信电源、DC-DC转换器以及其他需要高效能和高频率工作的场景。
封装：QFN5x6
耐压：600V
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（高边），4.5mΩ（低边）
工作温度范围：-55℃至150℃
栅极电荷：8nC
最大电流：100A
开关频率：高达3MHz
采用了TI的GaN FET技术，具备非常低的导通电阻和极小的栅极电荷，使得其在高频开关条件下依然能够保持高效的性能。
它内部集成的驱动器经过专门优化，减少了传统分立式方案中的寄生电感和电容问题，从而降低了开关损耗。
此外，这款器件支持高达3MHz的开关频率，非常适合小型化和高效率的电源设计需求。
由于其耐压高达600V，因此可以广泛用于高压输入的应用环境，同时它的热性能也经过强化，可以在较高温度范围内稳定运行。
适用于多种高效率电源系统的设计，例如数据中心服务器的电源模块、电信基站的电源单元、工业设备中的DC-DC转换器以及消费类电子产品的快充适配器。
由于其高频特性，它可以显著减少磁性元件的体积，从而降低整体系统的成本和尺寸。
此外，它还可以用作太阳能逆变器的核心功率级组件，为可再生能源领域提供更高效的解决方案。
CSD95373Q5MT
