时间：2025/5/6 13:50:59
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CSD88537ND 是一款来自 Texas Instruments (TI) 的 NexFET 功率 MOSFET，采用 8 引脚 DSBGA 封装。该器件专为高效率功率转换应用设计，具有低导通电阻和快速开关性能。
它广泛应用于 DC-DC 转换器、负载点转换器 (POL) 和其他需要高效功率管理的场景。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：26A
导通电阻 (Rds(on))：2.5mΩ @ Vgs=10V
栅极电荷：48nC
总热阻 (结到环境)：59°C/W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
CSD88537ND 是一种优化的功率 MOSFET，具备以下特点：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关性能，减少了开关损耗，适合高频操作。
3. 小型封装 (DSBGA)，节省印刷电路板空间，同时提供良好的散热性能。
4. 高可靠性，在广泛的温度范围内保持稳定性能。
5. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代设计中。
CSD88537ND 主要用于以下领域：
1. 服务器和通信设备中的 DC-DC 转换。
2. 笔记本电脑和其他便携式设备的电源管理。
3. 高效同步整流应用。
4. 负载点转换器 (POL) 和其他分布式电源架构。
5. 工业自动化和汽车电子系统的功率控制模块。
CSD88538ND, CSD88536ND
