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CSD87351Q5D 发布时间 时间:2025/5/6 15:39:15 查看 阅读:10

CSD87351Q5D是德州仪器(TI)推出的基于氮化镓(GaN)技术的集成半桥功率级器件。它专为高频开关应用设计,集成了两个GaN FET(高边和低边)以及相应的驱动器电路。该器件采用QFN封装,具备高效率、小尺寸和快速开关特性,非常适合于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器等高频功率转换应用。
  通过将驱动器与GaN FET集成在一起,CSD87351Q5D显著降低了寄生电感的影响,从而减少了开关损耗并提高了整体效率。同时,其高频工作能力允许使用更小的无源元件,从而减小了整个系统的体积和成本。

参数

类型:功率级
  工艺技术:GaN
  封装形式:QFN (5mm x 6mm)
  输入电压范围:4.5V 至 17V
  输出电流峰值:120A
  RDS(on) 高边FET:9mΩ
  RDS(on) 低边FET:6mΩ
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  开关频率:高达2MHz
  驱动器供电电压:4.5V 至 17V

特性

1. 集成高性能GaN FET与驱动器,减少寄生效应和开关损耗。
  2. 支持高频操作,适合小型化设计需求。
  3. 提供低导通电阻以提高效率。
  4. 内置保护功能,如过流保护和短路保护,增强系统可靠性。
  5. 小型QFN封装,节省PCB空间。
  6. 适用于宽输入电压范围的应用场景。
  7. 具备优异的热性能,确保在高温环境下稳定运行。
  8. 减少了外部元件数量,简化了电路设计流程。
  这些特性使得CSD87351Q5D成为高效能、高频DC-DC转换器和负载点(POL)转换器的理想选择。

应用

1. 数据中心和电信设备中的高密度电源模块。
  2. 笔记本电脑和服务器的多相电压调节器。
  3. 高效DC-DC转换器设计。
  4. 电机驱动和逆变器应用。
  5. 消费类电子产品的适配器和充电器。
  6. 工业自动化设备中的电源解决方案。
  7. 电动汽车和混合动力汽车的车载充电器及DC-DC转换器。
  CSD87351Q5D凭借其高效率和高频特性,在上述应用中能够显著提升系统性能并降低整体成本。

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CSD87351Q5D参数

  • 产品培训模块NexFET MOSFET Technology
  • 视频文件PowerStack? Packaging Technology Overview
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列NexFET™
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C32A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7.6 毫欧 @ 20A,8V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs7.7nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1255pF @ 15V
  • 功率 - 最大12W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-LDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装8-SON(5x6)
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称296-28327-6