CSD87351Q5D是德州仪器(TI)推出的基于氮化镓(GaN)技术的集成半桥功率级器件。它专为高频开关应用设计,集成了两个GaN FET(高边和低边)以及相应的驱动器电路。该器件采用QFN封装,具备高效率、小尺寸和快速开关特性,非常适合于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器等高频功率转换应用。
通过将驱动器与GaN FET集成在一起,CSD87351Q5D显著降低了寄生电感的影响,从而减少了开关损耗并提高了整体效率。同时,其高频工作能力允许使用更小的无源元件,从而减小了整个系统的体积和成本。
类型:功率级
工艺技术:GaN
封装形式:QFN (5mm x 6mm)
输入电压范围:4.5V 至 17V
输出电流峰值:120A
RDS(on) 高边FET:9mΩ
RDS(on) 低边FET:6mΩ
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
开关频率:高达2MHz
驱动器供电电压:4.5V 至 17V
1. 集成高性能GaN FET与驱动器,减少寄生效应和开关损耗。
2. 支持高频操作,适合小型化设计需求。
3. 提供低导通电阻以提高效率。
4. 内置保护功能,如过流保护和短路保护,增强系统可靠性。
5. 小型QFN封装,节省PCB空间。
6. 适用于宽输入电压范围的应用场景。
7. 具备优异的热性能,确保在高温环境下稳定运行。
8. 减少了外部元件数量,简化了电路设计流程。
这些特性使得CSD87351Q5D成为高效能、高频DC-DC转换器和负载点(POL)转换器的理想选择。
1. 数据中心和电信设备中的高密度电源模块。
2. 笔记本电脑和服务器的多相电压调节器。
3. 高效DC-DC转换器设计。
4. 电机驱动和逆变器应用。
5. 消费类电子产品的适配器和充电器。
6. 工业自动化设备中的电源解决方案。
7. 电动汽车和混合动力汽车的车载充电器及DC-DC转换器。
CSD87351Q5D凭借其高效率和高频特性,在上述应用中能够显著提升系统性能并降低整体成本。
CSD87350Q5D