时间：2025/5/6 20:48:53
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CSD87334Q3D 是一款来自德州仪器（TI）的功率 MOSFET，采用 NexFET 技术设计。这款芯片主要用于提高电源转换效率和功率密度，适合高频开关应用。它集成了优化的栅极驱动器和功率 MOSFET，能够显著降低导通和开关损耗。
该器件采用了 QFN 封装形式，具有较小的占板面积和良好的散热性能，非常适合空间受限的设计环境。
型号：CSD87334Q3D
类型：N 沟道功率 MOSFET
VDS（漏源电压）：60V
RDS(on)（导通电阻）：2.8mΩ（典型值，在 VGS=10V 时）
Qg（总栅极电荷）：25nC（典型值）
封装：3.5mm x 3.5mm QFN
工作温度范围：-55°C 至 150°C
电流能力：高达 90A（峰值）
CSD87334Q3D 提供了低导通电阻和低栅极电荷的特点，使其成为高频 DC/DC 转换器的理想选择。
1. 使用了 TI 的 NexFET 技术，实现了更低的导通电阻，从而减少了导通损耗。
2. 具有快速开关速度，可以有效减少开关损耗。
3. 集成式设计简化了 PCB 布局，同时提高了系统可靠性。
4. 小型 QFN 封装有助于在紧凑型设计中实现更高的功率密度。
5. 在宽广的工作温度范围内保持稳定的电气性能。
CSD87334Q3D 广泛应用于各种需要高效功率转换的场景，例如：
1. 笔记本电脑适配器和充电器中的同步整流电路。
2. 工业用 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
3. 电信设备中的电源模块。
4. 服务器和网络设备的电源管理。
5. 各种消费类电子产品的高效功率级解决方案。
其高效率和高频性能使该器件成为现代电子产品中不可或缺的一部分。
CSD87350Q5D, CSD87351Q5D
