时间：2025/5/6 16:25:51
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CSD87331Q3D是TI（德州仪器）推出的一款N通道功率MOSFET，采用先进的封装技术，适用于高效率、高密度的电源转换应用。该器件专为同步整流和DC-DC转换器设计，具有极低的导通电阻和快速开关性能，有助于提高系统效率并减少热量生成。
这款MOSFET采用了QFN封装形式，能够有效提升散热性能，并简化PCB布局设计。其典型应用场景包括笔记本电脑适配器、服务器电源、电信电源等需要高效能与紧凑空间结合的领域。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：26A
导通电阻（Rds(on)）：1.3mΩ
栅极电荷：49nC
输入电容：2285pF
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：QFN 8x8mm
CSD87331Q3D的主要特性包括：
1. 极低的导通1.3mΩ，可显著降低导通损耗。
2. 快速开关能力，具备较低的栅极电荷和输出电荷，优化了动态性能。
3. 高电流处理能力，支持高达26A的连续漏极电流。
4. 支持宽泛的工作温度范围，适应恶劣环境下的使用需求。
5. 封装形式为QFN 8x8mm，提供出色的热管理和电气性能。
6. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。
CSD87331Q3D广泛应用于以下领域：
1. 同步整流电路，用于提升效率。
2. DC-DC转换器，特别是在高性能计算和通信设备中。
3. 笔记本电脑及平板电脑的充电器和适配器。
4. 服务器和数据中心电源模块。
5. 电信基站和其他工业级电源解决方案。
6. LED驱动器以及其他对效率敏感的应用场景。
CSD87330Q5A, CSD87332Q5A, CSD87333Q5A
