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CSD86356Q5D 发布时间 时间:2025/5/6 20:50:20 查看 阅读:7

CSD86356Q5D是德州仪器(TI)推出的一款基于氮化镓(GaN)技术的高性能功率级开关器件,属于Power Stage系列。它将栅极驱动器和增强型氮化镓场效应晶体管集成在一起,旨在提高效率、减小尺寸并降低开关损耗,适用于高密度电源转换应用。
  该器件采用了QFN封装形式,具有较低的导通电阻和快速的开关特性,非常适合用于DC-DC转换器、POL稳压器以及服务器和通信设备中的高效电源管理场景。

参数

型号:CSD86356Q5D
  封装:QFN 8x8mm
  最大额定电压:60V
  最大额定电流:不直接指定,取决于负载条件
  Rds(on)(导通电阻):4.5mΩ(典型值,25°C)
  工作温度范围:-40°C至+125°C
  输入电容:~90pF
  反向恢复电荷:无(因GaN技术而消除体二极管)

特性

CSD86356Q5D的主要特性包括:
  1. 高效氮化镓(GaN)技术,提供卓越的开关性能和低导通损耗。
  2. 内置优化的栅极驱动器,简化了设计流程并提高了系统稳定性。
  3. 超低导通电阻(Rds(on)),减少了传导损耗,提升了整体效率。
  4. 快速开关速度和零反向恢复电荷,有效降低了开关损耗。
  5. 小巧的QFN封装,有助于节省PCB空间。
  6. 支持高频操作,使设计能够实现更小的磁性元件和电容器。
  7. 提供出色的热性能和可靠性,适用于苛刻的工作环境。
  CSD86356Q5D的这些特点使其成为现代高效电源转换应用的理想选择。

应用

CSD86356Q5D主要应用于以下领域:
  1. 数据中心和云计算设备中的高效DC-DC转换。
  2. 通信基础设施中的负载点(POL)转换器。
  3. 高性能计算和图形处理器(GPU)供电模块。
  4. 工业自动化设备中的电源管理单元。
  5. 汽车电子系统中需要高效功率转换的场合。
  6. 笔记本电脑和其他便携式设备的适配器及充电解决方案。
  其高效的开关特性和紧凑的封装形式使得CSD86356Q5D在各种高密度电源应用中表现出色。

替代型号

CSD88584Q5D,CSD86360Q5D

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CSD86356Q5D参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格2,500 : ¥9.19406卷带(TR)
  • 系列NexFET?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 配置2 个 N 通道(半桥)
  • FET 功能逻辑电平栅极,5V 驱动
  • 漏源电压(Vdss)25V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)40A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)4.5 毫欧 @ 20A,5V,0.8 毫欧 @ 20A,5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.85V @ 250μA,1.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)7.9nC @ 4.5V,19.3nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1040pF @ 12.5V,2510pF @ 12.5V
  • 功率 - 最大值12W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-PowerTDFN
  • 供应商器件封装8-VSON-CLIP(5x6)